晶体硅太阳电池技术

晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外，电池转换效率受制于很多因素，为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失，各种工艺、技术应运而生：表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。 目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主，其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背

，硅料价格如坠机一般从200美元/kg跌到20美元/kg。 晶体硅路线的成本降速远超薄膜路线，硅料价格的雪崩导致a-Si、镝化镉等太阳能薄膜电池路线的退出，奠定了晶体硅的主流地位。 从应用材料到正泰

，隆基股份、通威股份、阳光电源竞争优势难以改变，持续推荐;中期技术变化穿越供需周期，景气度预计维持高位，跟踪支架渗透率提升、电池技术革新以及 BIPV 等新兴应用领域带来子行业增速加快，中信博、爱旭股份
300GW，除单晶硅双龙头隆基股份与中环股份积极扩产外，晶科、晶澳、上机等企业均规划了较大规模的硅片项目，光伏行业正处景气周期，硅片端布局正热，产能有望快速爬坡，持续带来增量晶体硅生长及硅片加工

2月3日，光伏行业2020年发展回顾与2021展望研讨会通过网络会议形式召开，晶澳太阳能科技股份有限公司高级副总裁助理兼资深产品技术专家王梦松就晶硅电池技术发展趋势做了精彩分享。 世界上
第一块晶体硅太阳能电池是1954年贝尔实验室做出来的，到今天已经有60多年的时间了，转换效率在4.5%左右;到1958年，世界上推出了BSR结构，也就是背面反射结构的太阳能电池，转换效率接近10%;前些年行业里

光伏的 LCOE 再降低 20%以上。 然而，由于多数晶体硅电池技术都需要高温烧结，而且表面粗糙度大(达到数微米)，与不耐高温并且厚度仅有几百纳米的钙钛矿薄膜
匹配度并不理想。在目前可见的晶硅电池技术中，HIT(异质结)技术匹配度最好，HIT 的生产工艺低于 200℃，并且较高的投资成本导致其性价比优势并不突出，HIT 与钙钛矿结合有望出现1+12的效应

近日，经行业权威检测机构检测认证，国家电投中央研究院所属新能源科技有限公司研发的、具有完全自主知识产权的高效晶体硅铜栅线异质结光伏电池(C-HJT)最高量产效率已达24.53%，比国际上异质结
，获得了低表面态密度、高质量界面钝化、高迁移率、高透过率、低接触势垒及低遮光面积的高性能电池。C-HJT电池技术是经中试线验证，能够直接应用于产业端，进行技术成果产业化，为国家电投在光伏产业孵化新的利益

。在这个过程中，泰州市发展光伏产业的支持政策愈发成熟。 12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。 来自全国各地的
在成熟技术路线上继续挖掘潜力，要么探寻另一条更具前景的技术赛道。 异质结电池便是重要赛道之一。 异质结电池全称是晶体硅异质结太阳电池，别称还有HIT、HJT、HDT、SHJ。 该技术是在晶体硅上

中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，中科院电工所太阳能电池研究部主任王文静表示，PERC电池的产业化最高效率约为24.6%，而异质结、TOPCON

，电池片厂商开始相继布局具有更高效率，更低衰退率，更高发电量的N型太阳能电池技术，例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon)，异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时，设备厂商正在布局
的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征