晶体生长炉

晶体生长炉,索比光伏网为您提供晶体生长炉相关内容,让您快速了解晶体生长炉最新资讯信息。关于晶体生长炉更多相关信息,可关注索比光伏网。

京运通收购环保项目增加业务种类及营收来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-05-07 09:20:51

。 资料显示,京运通是我国真空晶体生长设备研发制造于一体的专业生产厂家。公司主要产品包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等。 京运通6日停牌,停牌前一交易日报收7.22元,上涨

太阳能硅有籽晶定向凝固过程中保存籽晶的控制来源: 发布时间:2013-04-16 10:15:03

/熔体界面和温度梯度的影响是至关重要的。有关优化晶体生长过程已进行了许多研究。采用瞬态3D数值模型,Delannoy等人研究过ECM炉内二种不同直径支架对凝固硅锭中热梯度和生长速率的影响
/熔体界面。稍凸的界面有利于随后块晶体生长,因为它促进晶粒向外生长,增大晶粒尺寸。得到这二个条件的直接方法是修改置于加热器下的隔热环的形状和位置。因此,研究在籽晶保存阶段,隔热环几何结构对硅范围内籽晶

晶龙单晶炉相关三项实用新型专利获授权来源: 发布时间:2013-04-03 09:25:34

了加热器消耗和等径功率,增加了晶体生长速度,节约了生产成本。一种改进排气口的单晶炉通过改进单晶炉排气口,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。一种用于单晶炉

晶龙集团单晶炉相关三项实用新型专利获授权来源:世纪新能源网 发布时间:2013-04-01 23:59:59

,降低了加热器消耗和等径功率,增加了晶体生长速度,节约了生产成本。一种改进排气口的单晶炉通过改进单晶炉排气口,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。一种

晶盛机电研制的区熔炉生长出8英寸区熔硅单晶棒来源:人民网 发布时间:2013-03-27 14:05:12

晶盛机电与天津环欧联合承担并由晶盛机电研制的国家科技重大专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》之8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制课题的区熔硅单晶炉样机,结合天津环欧领先的晶体生长工艺,在天津环欧

晶龙:世界光伏产业领军者来源:河北日报 发布时间:2013-03-06 23:59:59

的跨越发展,从一个名不见经传仅有3台单晶炉、十几个人的作坊式小厂,发展成为拥有32家控股和全资子公司、员工三万余名的企业集团,目前已经成为独具特色的科技型强企。七大生产研发基地 支撑起晶龙科技脊梁
国家863计划1项和承担国家及省市科研项目20多项,获省级以上科技奖10余项,获授权专利250多项。高科技产业集群化 国内外唱响晶龙品牌形成高科技产业集群。晶龙集团打造了晶体生长(包括多晶硅铸锭)切片

极特先进:现在正是投资未来的最好时机来源: 发布时间:2013-02-26 10:37:40

。当然,使用DSS多晶硅铸锭炉生产硅锭的方式还会持续很长一段时间,但也会出现不同类型的晶体生长技术,推动光伏行业未来的发展。我们认为HiCz能满足未来的行业要求。最后,目前还有一个市场现实影响了我们对
索比光伏网讯:去年年底,媒体爆出全球领先的光伏设备制造商美国极特先进科技公司(GTAdvancedTechnologiesInc.以下简称GT)将退出铸锭炉(DSS)市场,在业内引起了不小的震动

GTAT郑重声明:绝不会退出铸锭炉业务来源: 发布时间:2013-01-31 14:25:36

铸锭炉生产硅锭的方式还会持续很长一段时间,但也会出现不同类型的晶体生长技术,推动光伏行业未来的发展,HiCz将毋庸置疑的满足未来的行业要求。目前产能利用严重不足,资金渠道堵塞,大量制造产能闲置。现阶段
领导地位。现如今,世界上大多数的多晶硅片的生产都由DSS长晶炉生产。GTAT郑重的表示,绝对不会退出铸锭炉业务。只是GTAT认为该行业的技术路线与传统的DSS路线不同,所以准备集中研发力量,开发支持未来

独家对话GTAT:为迎接光伏行业复苏备战来源:世纪新能源网 发布时间:2013-01-27 23:59:59

降低硅片总成本。另外,此铸锭炉产能更高,还能为 Gen6 MonoCast 生产铺路 都使用同样的铸锭炉。在过去的四、五年里,GT Advanced Technologies (GT) 硅晶体生长技术的

航天机电:卖掉神舟硅业之后再卖中环光伏来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-01-11 08:50:59

太阳能电池用硅单晶材料产业化工程项目建设,项目将利用环欧公司在单晶硅、硅片的制造方面的技术优势,借助航天机电下属企业神舟硅业多晶硅产品的配套优势,建设一条完整的从晶体生长到硅片加工的直拉太阳能硅片生产线。该项
项目总投资5.126亿元,建筑面积37,074平方米,新增工艺设备247台套,其中主要工艺设备直拉单晶炉72台,设定晶体产能110MW/年,晶片加工产能50MW/年。一期项目于2009年3月26日开工