晶体炉

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单晶硅生产的工艺及所需材料是什么?来源:Solarbe.com 发布时间:2007-12-21 14:10:08

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等
。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有

国内太阳能电池硅片6英寸占主流来源:Solarbe.com 发布时间:2007-12-05 11:30:27

国太阳能用硅材料市场需求量将达到249.9亿平方英寸,2007年-2011年需求量年均复合增长率达到39.6%。 太阳能电池分为晶体硅电池和薄膜涂层电池两类,效率较高的晶体硅电池又分单晶硅
、多晶硅两种。从现阶段市场发展来看,晶体硅电池占据了市场的主流地位。不同于国外市场多晶硅在太阳能电池中占有优势地位,国内单晶硅太阳能电池依旧占据很大比重。造成这种现象的主要原因,一方面是因为国内多晶硅

扬中做大做强硅材料产业来源: 发布时间:2007-09-04 16:01:01

为尚德电力控股有限公司重要的配套生产企业。辉煌公司投产后,将分期引进国际领先的多晶炉、切片机和破锭设备650台(套),建设900兆瓦太阳能硅片产业基地,项目全部建成后,可形成年产4.5亿片多晶硅片的
太阳能光伏封装产品,并逐步开发硅材料上游产品。   硅材料高新技术产业的快速崛起,已使其成为扬中更好更快发展的重要一极。依托无锡尚德集团产业辐射以及大全集团新材料项目的开工,扬中已形成从晶体硅原料提炼到

(二)光伏设备:中低端有作为 三领域待突破来源:中国电子报 发布时间:2007-06-26 19:26:54

国产设备支撑以降低生产成本,千吨级生产设备亟待取得突破并大量提供。   2.大尺寸硅片加工设备   国内目前的125mm×125mm规格硅片大多采用6英寸单晶炉拉制单晶生产,为满足156mm
× 156mm电池片生产的需要,就必须改用8英寸单晶炉,但其生产成本将远高于多晶铸锭法生产的硅片,是电池企业无法接受的。因此,光伏用156mm×156mm硅片将转向多晶硅片,改用多晶硅铸锭炉生产,将拉动

(一)光伏设备:中低端有作为 三领域待突破来源:中国电子报 发布时间:2007-06-26 19:22:34

了至关重要的作用。  高端设备仍需进口   太阳能光伏产业包括光伏材料、光伏电池、光伏组件、光伏设备和光伏应用系统。以占据太阳能电池95%以上的晶体硅太阳能电池为例,其产业链为硅矿石—冶金 硅
电池制造,它包括清洗、制绒、扩散、刻蚀、减反射膜制备、电极印刷、低温烘干、高温烧结、自动测试分捡等。   经过数年的艰苦努力,我国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造整线装备能力,部分产品如扩散炉、等离子

推荐:光伏电池设备——关注大尺寸和自动化来源:杜海文 张瑾 中国电子报 发布时间:2007-06-20 12:24:27

)与国外尚有差距。   全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破,整体水平和国外差距较大,国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。   材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国际先进水平有差距
晶体硅光伏电池的性能之外,量子点太阳电池、量子阱太阳电池、染料敏化电池、热光伏电池及有机薄膜太阳电池等多种新兴电池的物理化学机理研究已经是当前光伏理论及科学研究的前沿,国内部分研究院所也在这方面已经取得

推荐:光伏电池设备――关注大尺寸和自动化来源:杜海文 张瑾 中国电子报 发布时间:2007-06-19 23:59:59

程度(自动装卸片)与国外尚有差距。   全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破,整体水平和国外差距较大,国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。   材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国
。   除了如何提高晶体硅光伏电池的性能之外,量子点太阳电池、量子阱太阳电池、染料敏化电池、热光伏电池及有机薄膜太阳电池等多种新兴电池的物理化学机理研究已经是当前光伏理论及科学研究的前沿,国内部分研究院所也

3年刻苦研发 填补国内空白 12"硅单晶炉助我国IC驶入快车来源:知识产权报 发布时间:2007-06-14 16:21:46

  阅读提示   单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题,高端产品均为国外公司所

磁场中直拉硅单晶的生长(四)来源:峨眉半导体 发布时间:2007-06-12 22:57:18

会议指出,CZ法只生长电阻率25欧姆一厘米以下的晶体。最近,电阻率高达70欧姆一厘米的单晶,也可用CZ法生长。 MCZ工艺的出现,为制备高阻硅单晶闯出一条新路,其电阻率可达400欧姆一厘米。用光电导衰减
高压器件,并为扩大CZ硅单晶的应用展现了新的前景。 七、结语 用MCZ法生长硅单晶,具有无可比拟的优越性。很可能在不久的将来,附带磁场装置的新型单晶炉就会问世。 MCZ法

磁场中直拉硅单晶的生长(二)来源:峨眉半导体 发布时间:2007-06-12 22:54:48

炉的热区,就经得住所加的强磁场。这是由于磁场方向与加热电流方向平行所致; 3. 1000高斯的磁场强度就能有效地抑制热对流,相当于TMCZ磁场强度的三分之一; 4.晶体乳增祸的旋转
生长晶体时,可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年,Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后,熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决,人们对MCZ法是否具有实用意义提出