晶体炉
集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
各有关单位：
近年，我国多晶硅生产取得了重大进展，06年产量达到300吨，创历史新高。千吨级多晶硅生产技术正在取得突破，物理法提纯太阳级硅亦取得新的进展。与此同时，06年我国晶体硅太阳电池和
德国Schmid Group
史少武/张永安
自动化大规模生产太阳电池的技术
17:00-17:20
西安华德晶体生长设备公司
邱宗明 教授
CZ硅单晶生长技术与设备
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主要设备：CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定
满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺
路线，而采用直接由原材料到太阳电他的工艺路线，即发展薄膜太阳电他的技术。
20世纪70年代开始，发展了许多制作薄膜太阳电他的新材料、CulnSe2、CdTe薄膜，晶体硅薄膜和有机半导体薄膜等
5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
太阳电池。 }/I$Y2] n Y}wj0Tl 目前市场上的主流电池仍然是晶体硅太阳电池，2005年市场份额占95%。其中多晶硅电池52.3%、单晶硅电池38.3%、带硅/片硅电池
太阳电池、染料敏化电池、热光伏电池及有机薄膜太阳电池等多种新兴电池的物理化学机理研究已经是当前光伏理论及科学研究的前沿。晶体硅太阳电池继续向高效化、薄型化和大面积方向前进。效率为19%的单晶硅电池和效率
集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。
单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸
太阳能电池及组件制造装备 用于制造太阳能电池及组件，包括：太阳级硅投炉料制造成套装备，多晶硅铸锭炉，多线切割机，剖锭机，硅片抛光设备，硅片清洗机，扩散设备
力发电系统；功率在几十到几百千瓦、储能达百兆瓦时。 技术开发、项目示范 51 光伏硅材料 用于生产太阳能电池用晶体硅。 技术开发或引进 52 光伏发电系统用集中和远程监控系统
国2005年的比例是6.7：1。主要原因是国内单晶硅拉制技术比较成熟，设备已经国产化，价格低廉（数十万人民币一台）。而多晶体硅浇铸炉依赖进口，价格昂贵。3、太阳电池生产：技术接近国际水平在国际市场需求旺盛的
利润增长。光伏产业链主要有五个环节：多晶体硅原材料制造，硅锭/硅片生产、太阳电池制造、组件封装、光伏系统应用。1、多晶硅制造：国内企业技术落后、规模小，国外企业处于垄断地位2005年，世界太阳电池
