晶体材料
光电池论文。
1941年奥尔在硅上发现光伏效应。
1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。
1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类材料
硫化镉光伏系统，用于教育电视供电。
1973年美国特拉华大学建成世界第一个光伏住宅。
1974年日本推出光伏发电的阳光计划;Tyco实验室生长第一块EFG晶体硅带，25mm宽，457mm长(EFG
调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-GradePolysilicon。
被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状
500s；施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。
主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在
具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼
级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查
产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆厘米( cm
级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次
-2018年，龙焱先后引入浙能创投和深圳致远两家省级国资背景股东。值得注意的是，目前龙焱的产能虽然只有120MW，但其光伏制造设备却全部实现了国产化，原材料也全部来自国内。这不仅大大降低了碲化镉组件制造
成本，更在核心设备和原材料上不容易被国外卡脖子。
2019年1月，龙焱与其股东浙江省能源集团合资成立浙江浙能龙焱，规划了400MW的大尺寸碲化镉组件产能，目前正在推进;山西合资公司山西阳泰龙焱最新产线
电站太阳能电池至并 网点的全部工程设计、设备材料采购供应(不包括晶体硅太阳能光伏组件)、 建筑安装工程施工、工程质量及工期控制、工程管理、设备监造、培训、电网接入系统检测、调试、试运直至验收交付生产
项目所在地区：广东省
一、招标条件
本项目己具备招标条件，现招标方式为公开招标。
二、项目概况和招标范围
规模：本项目拟在双兴新材料集团公司的厂房屋面上建设单晶9192.96kWP并网型
太阳能光伏电站太阳能电池至并网点的全部工程设计、设备材料采购供应:包含彩钢瓦屋面、混凝土屋面、配套并网设施、交流汇流箱、高压接入系统的高压开关柜、计量柜、直流屏、PT柜、10kV升压变压器(不包括
晶体硅太阳能光伏组件)、建筑安装工程施工、工程质量及工期控制、工程管理、设备监造、培训、电网接入系统检测、调试、试运直至验收交付生产、以及在质量保修期内的消缺等全过程的工作，在满足合同其它责任和义务的同时
电子背向散射绕射(electron backscatter diffraction，EBSD)技术来分析晶体材料，并用闪烁计数器侦测器(everhart thornley) 来侦测太阳能板产生电压
电子背向散射绕射(electron backscatter diffraction，EBSD)技术来分析晶体材料，并用闪烁计数器侦测器(everhart thornley) 来侦测太阳能板产生电压
a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。
图表1：HIT太阳能电池结构
：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80m);同时低温过程消除了硅衬底在高温
