扩散炉

、硼扩散炉和湿法刻蚀设备即可实现产线 升级。目前 LG、天合光能、REC、中来已实现 TOPCon 量产，其中中来拥有 2.4GW 产能。 TOPCon 各环节工艺及国产设备发展已较为成熟： 隧穿
氧化物的制备：主要以热氧工艺为主，基本可集成在 LPCVD 机台中实现; 多晶硅沉积：可分为两种方式，一种是先进行非晶硅层生长，而后通过扩散炉晶化并通入磷源进行掺杂，另一 种是通入磷源实现原位掺杂

166mm大硅片。对于电池环节的主要管式设备扩散炉和PECVD，由于扩散炉的管径最小为290mm，可满足M6硅片223mm的外径尺寸，若兼容M6硅片，还需要在石英舟上进行合理的设计。 提升扩散炉M6大硅片的

长达18个月。如果学习曲线扩散至全行业，结果就是没有约束的产能过剩，比如之前崩塌的多晶和去年崩塌的PERC电池。供给过剩并不必然发生，得看跳跃间断点背后学习曲线的具体情况，因为光伏自带金融反身性
。 跳跃间断点并不是行业波动性之源，恰恰相反，令人生畏的颠覆性创新却带来了长期的行业格局稳定。行业波动性来源于分散的竞争格局，背后是学习曲线扩散之后无差异的产品竞争，比如之前崩塌的多晶和去年崩塌的

长达18个月。如果学习曲线扩散至全行业，结果就是没有约束的产能过剩，比如之前崩塌的多晶和去年崩塌的PERC电池。供给过剩并不必然发生，得看跳跃间断点背后学习曲线的具体情况，因为光伏自带金融反身性
话语权。 跳跃间断点并不是行业波动性之源，恰恰相反，令人生畏的颠覆性创新却带来了长期的行业格局稳定。行业波动性来源于分散的竞争格局，背后是学习曲线扩散之后无差异的产品竞争，比如之前崩塌的多晶和去年崩塌的

分别为7.2%，5.9%，5.0%。 捷佳伟创公司主营业务为PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售。截至2020年03月11日，该公司股东人数(户)为15583，较上个统计日减少3512户。(完)

Sigma 300 SEM 场发射扫描电镜、I-V 测试设备Berger PSS10。 1.2 制备流程 采用氧化铝浆料制备黑硅PERC 多晶太阳电池的工艺流程为：①黑硅制绒②扩散③刻蚀去PSG ④背面
。氧化铝分子间主要由稳定剂的空间位阻进行分散与支撑，使用Despatch 烧结炉预烧结，氧化铝分子开始聚集，经过860 ℃峰值温度烧结后形成较为致密的钝化层，如图3 所示。钝化层与硅接触部分形成正

。 4.2 电池片设备生产厂商 捷佳伟创 捷佳伟创是国内光伏电池片生产设备龙头。公司的产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、酸抛光及碱抛光设备、管式等离子体淀积炉、智能自动化设备、全自动
先进性介绍》，TopCon 电池片具备以下技术特点： 1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术 通过离子注入进行掺杂，可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布，避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及

尺寸极限就是166mm，扩散炉、PEVCD、丝网印刷、排版串焊等主要设备均可兼容166硅片，因此将硅片尺寸从M2调整为166mm尺寸，仅涉及少量设备改造，代价较低，而适用210mm硅片则需要上全新

，单晶炉单炉投料量提升至1300kg，铸锭单晶技术已开始产业化应用，158.75mm、166mm等大硅片技术批量生产;晶硅电池组件方面，PERC单晶电池产业化平均效率达到22.3%，N型电池研发
了印度制造、保障性关税、BIS认证等政策。印度制造要求部分印度光伏发电项目必须采购印度本土生产的电池和组件。2019年10月，印度新能源和可再生能源部(MNRE)进一步要求只有在印度使用未扩散硅片制造的

沉积设备(PECVD 设备或 ALD 设备)和激光开槽设备即 可。 PERC 核心产品为 PECVD 设备、丝网印刷等。其中，捷佳伟创的核心产品 PECVD 设备和扩散炉均为自主研发，采用的核心技术