异质结硅片
降低成本仍将是一个主要任务。材料、制造和产品该路线图预计，在实现这种降低的趋势中，金刚石线锯将从当前主导单晶和多晶硅片生产的浆料工艺手中获得较大的市场份额。预计，最早至2018年，金刚石线技术将成
为单晶硅片生产的市场领导者，从2026年开始成为多晶硅片生产的市场领导者。其他新兴技术，如无锯缝锯，无论是对于单晶硅片还是多晶硅片生产，预计都不会获得超过5%的市场份额。在硅片厚度方面，尽管通常认为较薄的
。对此，包括天合光能、乐叶光伏、晋能科技等多家光伏企业纷纷加码高效光伏产品，以此满足市场需求。其中晋能科技近日宣布与美国SunEdison合作，共同开发具备大规模量产能力的N型单晶硅异质结太阳能电池及
发电成本的显著降低作用。从2016年起，制造端价值将成为单晶技术份额提升的另一个驱动力。PVInsights价格数据显示，目前单晶硅片与多晶硅片价差已经缩小到1.7美分（不含税），在这个价格水平下，单晶电池
。单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展。光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先
平均转换效率15.91%、单晶组件为16.53%、企业平均产能利用率为86%。硅片发展方面，统计37家硅片平均产能利用率达到94%，26家企业平均产能利用率7.6%。电池发展方面，单晶及多晶电池
多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展。光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
转换效率15.91%、单晶组件为16.53%、企业平均产能利用率为86%。硅片发展方面，统计37家硅片平均产能利用率达到94%，26家企业平均产能利用率7.6%。电池发展方面，单晶及多晶电池产业化效率分别
成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100kWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快。单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结
。中国光伏行业协会秘书长王勃华介绍，2015年，我国光伏组件全年产量超过43GW、多晶组件平均转换效率15.91%、单晶组件为16.53%、企业平均产能利用率为86%。硅片发展方面，统计37家硅片平均
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池
相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。然而，地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题，而且随着技术的发展，原来困扰N型晶硅电池的
年建设其首家250MW硅片生产厂，未来计划扩大到1GW，将该技术带到市场。中国光伏制造商天合光能利用先进的Honey Plus加工技术，主要技术包括在批量生产设备上背面钝化及局部背面电场，在标准
的主流光伏制造商加大了对高效电池的研发与投入，并各自取得不同程度的突破。高效电池研发，将以组件量产定胜负随着背接触（BC）、异质结（HIT）、双面（BC）等电池新结构的开发及激光、离子注入、双面钝化等
引入了大量的复合中心。 此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度Sb对太阳电池特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看，为了降低太阳电池的成本和提高效率，现在
生产厂家也在不断地减小硅片的厚度，以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施.2、高效晶体硅太阳能电池技术 2.1、背接触电池IBC/MWT/EWT（1）IBC电池
索比光伏网讯:当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面
的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机物异质结太阳能电池采用在硅基底上旋涂相应的导电有机物，再沉积上、下金属电极的简单途径即可
流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展
