小分子

达10个小时以上，不适用于玻璃基底，基底材料采用石英或单晶硅，用于制作小尺寸器件，如液晶光阀、摄像机取景器等。 准分子激光晶化(ELA) 激光晶化相对于固相晶化制备多晶硅来说更为理想
温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。 LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小

制备Cd1-XZnXS来代替CdS，以改善小层的电子亲和力和降低界面态数目。 由于喷涂法制备Cu2S/CdS（Cu2S/Cd1-XZnXS）薄膜太阳电池，不采用真空设备，使工艺得到简化
，（d?c?t），空间群为I 42d=D2d12，每个晶胞中含有4个分子团，其晶格常数为＝5.782l08cm，с＝11.62110-8cm，与纤锌矿结构的CdS（=4.61310-8cm