三菱电机在太阳能电池国际会议“PVSEC-17”上,发布了将多晶硅单元转换效率提高至18%的成果。这是由官方认证机构——产业技术综合研究所的测量结果。“为标准电极构造中的
最高数值。优点是可使用现有生产线制造”(该公司)。除三菱电机外,京瓷使用背接触构造将多晶硅单元的转换效率提高到了18.5%。 三菱电机曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至
透明导电薄膜,使用倍频(532nm)YAG:Nd激光刻划系统刻划硫化镉/碲化镉膜层和金属背电极。激光刻划系统有两种,其一是移动样品实现激光刻划,其二是样品固定激光头移动实现激光刻划。前者受微动台的限制
进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重,容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度,获得更好的膜面腐蚀效果。
图
:① 单双层减反射膜;②激光刻槽埋藏栅线技术;③绒面技术;④背点接触电极克服表面栅线遮光问题;⑤高效背反射器技术;⑥光吸收技术。随着这些新技术的应用,发明了不少新的电池种类,极大地提高了太阳能电池的
处理,制作背电极,即制成多晶硅薄膜太阳能电池。
上述结构不但有效地降低串联电阻,还能增加背反射。在10cm10cm面积上获得转换效率为14. 22%的多晶硅薄膜太阳电池。
4.1.3 等离子
增加,能在CdS层内收集到更多的光激发载流子。
1.3 CdS簿膜电学特性
一般而言,本征CdS薄膜的串联电阻很高,不利于做窗口层,在300℃-350℃之间,将In扩散入CdS中,把本征
电池种类
转换效率(%)
研制单位
备注*j
单晶硅电池
24.7±0.5
澳大利亚新南威尔士大学
4cm2面积
背接触
德国斯图加特大学
4.017cm2面积
纳米硅太阳电池
10.1±0.2
日本钟渊公司
2微米厚膜
二氧化钛纳米电池
11.0±0.5