太阳能电池工艺
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。
HIT太阳能电池的优势
低温工艺
由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。
高稳定性
HIT太阳电池Voc越高
效率提升20%以上，综合生产成本降低10%以上。
通过CCZ技术生产出来的产品轴向电阻率、氧含量都是均匀的，更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺，并且是掺镓P型硅片最有效的拉晶技术
完成CCZ高效单晶产品的研发并具备量产能力，同时，得益于隆基具有前瞻性的产品规划和装备布局，现有生产设备均可基于CCZ高效单晶产品的生产工艺进行升级改造，可快速响应客户对CCZ高效单晶产品的需求
，打破对国外进口产品的依赖具有里程碑式的意义。
首批CIG靶材成功交付出货，填补国产化空白
据悉， CIG靶材是溅镀法生产铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的关键材料，通过物理加工的方法把高纯度
的铜、铟、镓三种金属涂覆在不锈钢管上，经过车床高精度加工成型。作为CIGS薄膜太阳能的核心部件，CIG靶材工艺复杂，成本也比较高，之前一直被国外垄断，国产化需求非常迫切。
在我国光伏企业汉能收购美国
光伏全产业链的能耗水平，证明光伏产品制造过程中所消耗的能源仅需光伏电池发电1.17年即可收回
而大家应该要知道，太阳能电池板发电，可以连续发电25年。
世界上目前最长寿的太阳能电站，已经持续运营了
通过工艺技术优化降低10%左右的生产成本，这是保利协鑫跑赢光伏产品价格下跌的幅度，这成为公司盈利不断攀升的法宝。
协鑫集团每年都会拿出营收3%投入研发，远高于正常制造业水平。
时至今日，协鑫集团的
理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。
在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展，硅片的厚度不断降低，电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用，以及几种晶体硅电池表面钝化方法，包括
较好，所以在清晨、傍晚等弱光条件发电效果明显优于间接间隙材料的晶硅电池，因此发电时间更长;
(5)热斑效应小：碲化镉太阳能电池的长条形子电池，有利于减少热斑效应，对提高发电能力、保证产品寿命和使用
?
目前世界上只有三家光伏企业真正实现了碲化镉光伏组件的量产，First Solar是最大的一家，而中国恰恰也只有一家(另一家是谁?
吴选之教授在太阳能电池领域从事研究达30余年，同时拥有多项
19.86%，再次创造了P型多晶硅组件窗口效率新的世界纪录。
3)尚德
2017年1月，无锡尚德宣布，公司自主研发的高效多晶硅PERC太阳能电池，量产转换效率最高达到20%。此外，无锡尚德还和澳大利亚新南
，晶科能源P型单晶PERC多栅电池效率达到23.45%，再次打破P型单晶电池效率的世界纪录。
晶科能源表示，其P型单多晶PERC太阳能电池效率大幅提升，主要基于数项高效技术的应用，包括：高性能P型硅基
太阳能电池给出了获取最大功率输出的栅线电极设计方法。电极的优化设计是从电极图形与细栅线宽度和扩散薄层电阻的配合来进行的，提出了高阻密栅的设计方向。通过在原有工艺的基础上将理论分析和实际生产实验相结合，减少了由电极设计所引起的功率损失的同时提高了光电转换效率。
升高一度，光伏组件的发电量降低0.38%左右。而薄膜太阳能电池温度系数会好很多，如铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池
主要原因有两类：
1)电池本身老化造成的衰减，主要受电池类型和电池生产工艺影响。
2)封装材料老化造成的衰减，主要受组件生产工艺、封装材料以及使用地的环境影响。紫外线照射是导致主材性能退化的重要原因
发展低成本、连续卷轴印刷工艺。对于印刷薄膜光伏而言，可印刷界面材料是实现高效印刷光伏的关键材料之一。
在有机太阳能电池中常用的溶液法界面材料为金属氧化物纳米材料和聚合物/小分子类有机界面层材料。这两类
器件性能与界面层厚度之间的依赖性，这将有助于降低印刷工艺的难度，提高工艺的重复性和电池良品率。相关工作结果发表于ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7
