多结

认为已经超过了全球份额的40％。　　多结晶Si产量还将扩大 随着2008年Si价格的急剧下跌，以往一直处于可随意涉足的太阳能电池用多结晶Si生产的无序状态，也逐步有了限制。其结果是，在Si价格趋于平稳的
同时，业界也开始有了脚踏实地的感觉。另一方面，考虑到长期增长，中国国内的Si产量还只能满足中国市场需求的一半左右。因此，仍将采取着眼于长期增长的举措。王勃华表示，政府正在研究企业准入多结晶Si生产的

公布，但从中国的产量超过4GW来看，很多观点都认为“已经超过了全球份额的40％”。 多结晶Si产量还将扩大 　　随着2008年Si价格的急剧下跌，以往一直处于可随意涉足的太阳能电池用多结晶Si
着眼于长期增长的举措。王勃华表示，“政府正在研究企业准入多结晶Si生产的基准，预定近期公布”。 　　在生产方面，多家设备厂商在展会及并设会议上发布了可增大多结晶Si铸锭炉容量的技术。发布的装置可将

转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%，远高于目前晶硅电池17%左右的

）等大带隙的透明化合物半导体中添加锰（Mn）等“3d过渡金属”实现的。由此，无需制做多结型电池单元，而直接单纯接合即可开发出转换效率非常高的太阳能电池。虽然目前转移效率还比较低，但开路电压非常高
。但在这种情况下，为了将大范围波长的光转换成电，必须采用变化In添加率等的材料来开发多结型电池单元。而此次的研究有助于虽基于GaN但机理完全不同的太阳能电池。（记者：野泽 哲生）

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作，以NREL的电池设计知识产权为基础，开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始

光伏组件厂商海通集团；在下游， 关注光电建筑系统集成商泰豪科技。 　　另外，涉及到太阳能电池的上市公司繁多，按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式两大类，而前者又分为单结晶形和多结

第三代CPV（聚光太阳能）发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池，目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比，CPV采用多结的III—V
。 CPV系统优势多 CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%，单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%，CPV采用的多结的III—V族电池对光谱进行了更全面的吸收，其理论

第三代CPV(聚光太阳能)发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池，目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比，CPV采用多结的IIIV族
化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率等优点。CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%，单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%，CPV采用的多结的IIIV族电池对光

第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V
优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差

第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V 族
性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失,目前的