,寿命问题难以解决;亦或者有人宣称多结电池转化效率可以高达45%,是晶硅电池效率的2倍有余,却不知道多结电池成本高昂,只能应用于航天航空领域。
不熟悉光伏产业的人总会莫名其妙的担心技术替代的问题
了。
ii. 晶体硅电池的产业链全景图
从最上游的原材料到最终的光伏组件产品,需要经过多晶硅料、硅锭/硅棒、光伏电池片、光伏组件等四个环节。现在我们就介绍了解一下这四个环节,以便描绘出光伏产业全景图
说理论转化效率会高达50%(晶体硅电池理论最高转化效率为30%),成本只有晶体硅电池的十分之一;但很多人却不知道钙钛矿电池寿命只能论小时来计,寿命问题难以解决;亦或者有人宣称“多结电池”转化效率可以高达45
%,是晶硅电池效率的2倍有余,却不知道“多结电池”成本高昂,只能应用于航天航空领域。不熟悉光伏产业的人总会莫名其妙的担心“技术替代”的问题,担心当前一些企业的优势可能会被替代掉;但我可以负责任地说:这些
电池技术到底牛在哪里?我们特别将IBC电池的结构原理、工艺技术以及发展状况做了细致的梳理。IBC电池的原理及特点IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术,使面朝
太阳的电池片正面呈全黑色,完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。IBC电池最大的特点是PN结和金属接触都处于电池的背面
光伏研发部,拥有一支专业从事太阳能电池外延、芯片的研发团队,包括1位首席科学家,4位博士,4位硕士和多名工程师,主要从事地面用和空间用高效多结太阳能电池外延芯片两大领域的产品开发。刘汉元、管亚梅夫妇
环首都新型城镇化优质运营商。其全资子公司光为绿色新能源,业务主要涉及光伏组件的设计、制造和销售,产品和服务涵盖了从多晶硅铸锭、硅片、光伏电池片、光伏电池组件的生产和销售的整个光伏行业产业链。朱共山家族
,该纪录被NREL赶超,然而Alta重新再次刷新世界纪录。
Alta Devices通过多项突破性技术来使用砷化镓制造太阳能电池片,在单结太阳能技术领域实现了世界最高能效。此次,阿尔塔推出的全新双结
年,中国的汉能薄膜将美国Alta Devices公司收为旗下,当时Alta Devices掌握的砷化镓(GaAs)柔性薄膜电池技术是世界最领先的薄膜太阳能电池技术,其双结电池片的发电效率已达30.8
技术来使用砷化镓制造太阳能电池片,在单结太阳能技术领域实现了世界最高能效。此次,阿尔塔推出的全新双结技术建于之前的单结技术基础之上,使用了磷化铟镓作为基底之上的第二个吸收层。相比单结设备,磷化铟镓利用
薄膜电池技术是世界最领先的薄膜太阳能电池技术,其双结电池片的发电效率已达30.8%。而经过一年的技术资源整合,Alta Devices的电池技术再次爆发,将双结电池片的发电效率提高到31.6%。而更让人兴奋
效率突破到25%以上。其中日本Sharp和Panasonic公司将IBC与HJ技术结合在一起,研发的晶硅多结电池效率分别达到25.1%和25.6%。
在中国,随着光伏产业规模的持续扩大,越来越多的
损伤,以及对接触电阻的影响;另外,精准对位是激光设备的必要条件,如果不采用Scanner方式的激光头,其加工时间往往较长,平均每片电池片的激光加工需耗时几分钟到十几分钟,生产效率低,目前只适合研发应用
结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类,而前者又分为单结晶形和多结晶形。
太阳能光伏电池通常用晶体硅或薄膜材料制造,前者由切割、铸锭或者锻造的方法获得,后者是一层薄膜附着在低价的衬背上。目前市场生产和
。
2.3去边技术
产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术
结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类,而前者又分为单结晶形和多结晶形。
太阳能光伏电池通常用晶体硅或薄膜材料制造,前者由切割、铸锭或者锻造的方法获得,后者是一层薄膜附着在低价的衬背上。目前市场生产和
去边技术
产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术
另一方面,中国人均水平还比较低,发展方式还比较粗放,地区发展差距偏大,经济发展中还有诸多结构性矛盾有待解决,对此又要高度警醒。从发展的眼光看,中国实现由经济大国向经济强国转变的道路仍然曲折。一方面,中国仍
生产国,拥有11家光伏海外上市公司,2008年生产光伏电池片1.78GW,居全球之首,占全球总产量的26%。但与第一大太阳能电池生产国形成鲜明对比的是,2008年,中国太阳能光伏装机容量仅为34MW