多晶黑硅PERC

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安徽合肥市光伏产业发展“十三五”规划:力争2020年底 装机规模突破2GW来源:合肥经信委 发布时间:2017-11-30 10:55:58

技术、全背结技术、适合光伏电池专用的吸杂工艺等技术的研究及应用。鼓励晶澳太阳能发展技术成熟的PERC电池、金属穿孔卷绕(MWT)电池、双面电池、黑硅电池、HIT电池、IBC电池等高效晶硅电池规模化
,增速达31.4%,电池片、组件产量6.5GW、逆变器10GW,产值突破400亿元,光伏控制、逆变设备出货量居世界第一。2.产业链日趋健全。形成从玻璃基板-多晶硅原料-电池片-组件-逆变器-储能电池

合肥光伏产业发展“十三五”规划:力争2020年底 装机规模突破2GW来源:合肥经信委 发布时间:2017-11-30 09:38:07

专用的吸杂工艺等技术的研究及应用。鼓励晶澳太阳能发展技术成熟的PERC电池、金属穿孔卷绕(MWT)电池、双面电池、黑硅电池、HIT电池、IBC电池等高效晶硅电池规模化生产,促进多种新型高效电池共同发展
亿元,增速达31.4%,电池片、组件产量6.5GW、逆变器10GW,产值突破400亿元,光伏控制、逆变设备出货量居世界第一。 2.产业链日趋健全。形成从玻璃基板-多晶硅原料-电池片-组件-逆变器

盛极必衰:2018年光伏行业将迎拐点?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2017-11-30 08:35:59

。金刚线改造带来更高切割速度和更低硅耗,毫无疑问,无法普及金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说,由于“降本增效”的要求,未来将是高效组件的天下。目前来看, PERC组件、黑硅组件

合经信[2017]484号 关于印发《合肥市光伏产业发展“十三五”规划》的通知来源:合经信 发布时间:2017-11-29 23:59:59

电极技术、全背结技术、适合光伏电池专用的吸杂工艺等技术的研究及应用。鼓励晶澳太阳能发展技术成熟的PERC电池、金属穿孔卷绕(MWT)电池、双面电池、黑硅电池、HIT电池、IBC电池等高效晶硅电池规模化
达31.4%,电池片、组件产量6.5GW、逆变器10GW,产值突破400亿元,光伏控制、逆变设备出货量居世界第一。2.产业链日趋健全。形成从玻璃基板-多晶硅原料-电池片-组件-逆变器-储能电池-发电工程等

盛极必衰: 2018年光伏行业将迎拐点?来源:OFweek 发布时间:2017-11-29 23:59:59

更高切割速度和更低硅耗,毫无疑问,无法普及金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说,由于降本增效的要求,未来将是高效组件的天下。目前来看, PERC组件、黑硅组件、双玻组件、双面组件

合肥市光伏产业发展“十三五”规划来源:世纪新能源网 发布时间:2017-11-28 23:59:59

、全背结技术、适合光伏电池专用的吸杂工艺等技术的研究及应用。鼓励晶澳太阳能发展技术成熟的PERC电池、金属穿孔卷绕(MWT)电池、双面电池、黑硅电池、HIT电池、IBC电池等高效晶硅电池规模化生产,促进
达31.4%,电池片、组件产量6.5GW、逆变器10GW,产值突破400亿元,光伏控制、逆变设备出货量居世界第一。2.产业链日趋健全。形成从玻璃基板-多晶硅原料-电池片-组件-逆变器-储能电池-发电

单晶强势崛起,多晶倍感压力,“谁”有望重占半壁江山!来源:光伏盒子 发布时间:2017-11-28 18:24:03

主流企业都在加快PERC产能的建设,预计2017年底PERC产能将达到20GW。 但是由于单多晶硅片材料性质的不同,应用PERC技术,单晶电池效率可以提高1-1.2个百分点。多晶即使叠加黑硅技术只能

协鑫集成荣获“2017领跑中国可再生能源先行企业单项顶级光伏组件品牌奖”来源:索比光伏网 发布时间:2017-11-27 16:30:53

先行企业单项顶级光伏组件品牌奖。 据了解,协鑫集成目前拥有5GW的组件产能,在技术创新和产品开发领域持续发力,加大研发投入,夯实技术基础,持续推动科技创新,已经在2016年Q4实现了多晶黑硅PERC

协鑫集成拟收购协鑫新能源10.01%股份,投资下游光伏电站业务来源:世纪新能源网 发布时间:2017-11-23 23:59:59

多晶黑硅+PERC电池量产效率已突破20.5%,差异化产品竞争力持续提升。此外,为进一步开拓海外市场,今年7月份,协鑫集成在越南也布局了600MW的高效电池产能,依托成本及技术优势,助力协鑫集成进一步

MWT技术的产业化及进一步优势 ——访日托光伏副总裁路忠林来源:索比光伏网 发布时间:2017-11-23 11:15:29

发展。我们新建了邳州工厂,产能迅速扩大到1GW。我想今年年底或者明年还会有更大的发展。 在国家光伏领跑者计划中,明确推荐的五种技术方向有黑硅PERC、MWT、HJT、和IBC。其中,多晶黑硅和单晶