多晶黑硅

s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线

，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒

，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效

主辅材，明显改善了多晶电池片的光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。 除了更高效的硅片产品，黑硅
技术及配套的金刚线切多晶片也是多晶领域的热门研发方向。一直以来，降低表面反射率是电池厂商提高多晶产品效率的关键。而黑硅技术被视为解决多晶反射率高的有效方案，其既能提升电池效率又能降低电池成本。不仅如此

光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。除了更高效的硅片产品，黑硅技术及配套的金刚线切多晶片也是多晶领域的

高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个
，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀

电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件、半片组件、超大组件及双玻组件大规模推广。近期其多晶光伏组件已顺利通过中国质量认证中心(CQC)的一级能