多晶长晶

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台湾合晶掌握太阳能料源来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-21 14:18:04

。法人认为,今天双晶的股东会,将是判断本土太阳能业者与整体产业结构发展的风向球。 由于太阳能市况火热,上游缺料问题严重,中美晶、合晶也成为市场宠儿,股价一路狂飙,中美晶与合晶去年股东会时期,股价各在

国产太阳能硅单晶生长设备喜忧参半来源:常州华盛天龙机械有限公司总工程师 李留臣 发布时间:2007-06-20 19:19:52

等;90%以上的设备用于太阳能硅单晶的生产,其中有1400余台能够使用16英寸热系统投料45千克生长6英寸太阳能硅单晶,1000余台能够使用18英寸热系统投料60千克生长8英寸硅单晶的能力,只有200
多台可以使用20英寸热系统投料80千克—90千克比较经济地生长8英寸的太阳能硅单晶。 国产设备大部分是以半自动为主,只能实现等径生长、收尾等过程的自动控制,仍没有实现真空获得、加热熔化、引晶放肩

多晶硅薄膜的制备方法 (2)来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-20 01:49:03

的相变能量,使用镍金属诱导a-Si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑,具有长晶粒和连续晶界的特征,晶界势垒高度低于SPC多晶硅的晶界势垒高度,因此,MILC TFT

太阳能发电产业发展前景广阔来源: 发布时间:2007-06-19 11:54:59

领域。太阳能电池是光伏发电系统中的关键部分,包括硅系太阳电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅电池)和非硅系太阳能电池等。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料较少,又无效率衰退问题,并且可以在廉价衬底材料上制备,其
成本远低于单晶硅电池,经济效益较好。此外,非多晶硅薄膜电池也具有极大的发展潜力。   在晶体硅太阳能电池的产业链上分布着晶硅制备、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。上游环节的企业掌握技术优势,具有

上市融资:中国光伏业的机会抑或泡沫来源:顾列铭 发布时间:2007-06-19 11:08:32

。  太阳能电池原料的生产是光伏产业链中最关键的一环,而制造太阳能电池的高纯度多晶硅绝大部分需要依赖进口。  这个硅晶纯度接近100%。目前这种技术基本控制在日本的Tokuyama、三菱、住友公司,美国的
依靠进口,95%以上的市场在国外”的困境,光伏企业不得不通过上市融资购买原料、抢占市场,试图化解行业危机。  据了解,国际市场多晶硅原料的价格一直为50-60美元/千克。但由于中国企业争相哄抬

海峡两岸太阳能企业 需要创造深度发展环境来源:光伏论坛 发布时间:2007-06-17 16:39:31

M.Setek的代工厂。 对台湾来说,因为产业供应链架构雏型仍为完成,投资环境相对较难吸引国际大厂,更重要的是,近期台湾为浮出台面的新加入者中,也直接锁定前往大陆发展为目标,包括多晶硅原料、硅晶圆

台北:光电周活动首办太阳光电展 提升绿能竞争力来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-12 10:08:16

。   台湾结晶硅太阳电池产业链中,除了最上游的「多晶硅」国内尚未能自制外,整体供应链已经完整串连,中游厂商家数快速增加,生产规模不断扩大,2006年台湾太阳电池与模块产值首度突破新台币百亿元,2007年产值
城市、和绿色建筑等生活化的应用,传达出能源光电开创未来新生活的概念。   「 Solar 联合企业馆」呈现了台湾太阳光电产业结构。参展的厂商包括茂迪、益通、绿能、合晶、太阳光电、顶晶、普诠、罗森

(二)单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-10 14:46:18

。   (2)加工工艺知识   多晶硅加工成单晶硅棒:   多晶法即长成单晶硅棒法有二种:   CZ(Czochralski)法   FZ(Float-Zone Technique)法

太阳能光伏技术——世界太阳能开发利用现状来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:29:30

两倍还多,如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%,澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%;多晶硅太阳电池效率也达14%,实验室最大效率为19.8%;非晶硅太阳电池的稳定效率,单结6~9
)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:25:55

有化学吸收,使光电导率衰减。 未掺杂的CdS薄膜的电阻率高,不是由于膜的不连续引起的,很可能是由于氧气介入,氧俘获导带电子,形成化学吸附,存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧,在热退火过程中
退火,使a-Si层进行固相结晶,形成多晶硅。 用Raman光谱研究未掺杂a-Si结构和多晶硅膜关系,经Secco腐蚀显露出晶界,用扫描电镜测量晶粒尺寸和密度。 用上述SPC法制备的