多晶薄膜

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深交所就规范光伏业信披发布指引光伏制造、电站运营上市公司不可再“信口开河”来源:证券日报 发布时间:2015-07-09 08:30:30

按照按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜等)披露报告期内所销售产品的销售量、销售收入、销售毛利率;以及按技术类别披露报告期内所销售产品的产能、产量、在建和计划建设产能。而

光伏行业上半年业绩有望继续增长 力推分布式光伏发电来源:中国证券报 发布时间:2015-07-08 23:59:59

索比光伏网讯:分析人士指出,受国家对光伏行业的政策扶持等因素影响,今年上半年光伏行业整体表现活跃,下半年光伏装机需求预计将进一步增长,带来整个产业链回暖,下游电站运营商和上游多晶硅生产商将受益。多家
分布式光伏电站的融资难问题。政府发布的多项政策和电价补贴会促进分布式光伏产业的发展,看好在光伏全产业链布局的龙头晶硅制造企业,以及重点发展分布式光伏项目的龙头企业,如多晶硅生产商保利协鑫、分布式光伏

深交所就规范光伏业信披发布指引来源:证券日报 发布时间:2015-07-08 23:59:59

,并重点讨论与分析指标变化的原因及其对公司当期和未来经营业绩的影响情况。指引还要求,在披露年度报告、半年度报告时,上市公司应当同时按照按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜

台湾上银CIGS太阳能电池效率14%获德国ISE认证来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-08 23:59:59

索比光伏网讯:7月8日,台湾上银 (台湾股票代码2049) 集团旗下CIGS薄膜太阳能厂豪客能源宣布,系列产品Cigs-3000太阳能电池通过德国弗劳恩霍夫协会太阳能系统研究所(ISE)最大功率的
(-0.23 % /o C),是全球所有可量产化太阳能电池中最低者,约一般单多晶硅的1/2,适合地球上各种温度气候的考验,特别是赤道热带地区。此外,没有单多晶模组因鸟粪、树荫长期遮挡所产生的热斑效应而导致

深交所就规范光伏业信披发布指引 光伏制造、电站运营上市公司不可再“信口开河”来源:证券日报 发布时间:2015-07-08 23:59:59

点讨论与分析指标变化的原因及其对公司当期和未来经营业绩的影响情况。指引还要求,在披露年度报告、半年度报告时,上市公司应当同时按照按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜

激进汉能:规模与速度做的困局来源:《商界评论》 发布时间:2015-07-08 07:46:14

另一个梦想太阳能薄膜发电,筑就着他登上首富地位的台阶。 2006年,太阳能还造就了一位首富,无锡尚德的施正荣。在太阳底下,李河君和施正荣并不是一条道上的。 无锡尚德的主营业务是多晶硅电池,汉能
则是主攻薄膜电池发电。在全球,薄膜发电占整个光伏产业10%的份额都不到。2012年之前,多晶硅企业风头正旺,但是李河君的想法与产业潮流完全不同。 2006年施正荣他们做(多晶硅)的时候,我做

如何解读SPI重头产品:绿能宝来源: 发布时间:2015-07-07 10:32:59

银行等金融机构的亲睐,但是分布式光伏电站由于合适的屋顶比较难找、向用电用户收费比较困难等原因,一直推广不利,融资不顺。分布式光伏电站融资难问题在整个产业链中(以多晶硅为例)的体现如下图:光伏电站
较晚了。(联合光伏和众筹网曾发起过一个小型的光伏电站众筹项目,其实与绿能宝更类似)举两个例子:(1)海润光伏与中达租赁:sse.com.cn的页面;(2)汉能薄膜与积木盒子:中新能融资租赁到目前的观察,还没有看到

First Solar再战中国 真正的狼来了?来源:中国经营报 发布时间:2015-07-07 09:45:49

》要求的11%标准。不久前,First Solar宣布其碲化镉薄膜太阳能电池的转化效率达到18.6%,效率超过多晶硅光伏组件,再次掀起了光伏市场中关于薄膜和晶硅的技术路线之争。此前,在晶硅路线企业的围剿下

【秘笈】光伏领跑者计划全解析来源: 发布时间:2015-07-07 09:44:59

产品应达到以下指标:1.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2.高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换
%;2.高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4.多晶硅、单晶硅和薄膜

“光伏领跑者计划”最全资料及分析来源:无所不能 发布时间:2015-07-07 09:02:17

组件光电转换效率不低于28%; 3.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%; 4.多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自