多晶硅瓶颈

环节。工艺繁杂是TOPCon的痛点，且目前技术路线并不统一，多条技术路线并行。主要有三种，第一种是LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺;第二种是LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺
;第三种是PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。目前虽以PECVD为主，但是成膜速度慢等问题仍然是痛点。工艺繁杂会带来良率的劣势，再加之增加的工序技术路线并不统一且难度较大。导致TOPCon整体良

。产业链瓶颈解决，终端装机有望快速增长2023年硅料瓶颈解决：2023年国内多晶硅产量预计达到140万吨，进口多晶硅预计约10万吨，合计约150万吨硅料可供应超560GW组件， 考虑1.2容配比合计可

。突破大型光伏高效稳定直流汇集技术瓶颈，开展大功率高效率直流升压变换器拓扑、自律控制技术、多台直流变换器智能串/并联控制以及多场景智能运行控制技术等研究，研制大功率直流变换器。开展光伏发电与电力系统间暂
光伏发电与其他领域综合利用的规模化广泛应用。五)加强光伏智慧制造与设备国产化构建智慧光伏生产制造体系，提高生产制造能力，开展关键集中攻关，突破关键设备与零部件国产化技术，解决潜在的生产技术瓶颈，保障未来光伏

绿电认证、电力防灾减灾智能化成套装置设计制造、交通与电力融合等关键核心技术。晶硅光伏领域。重点突破高纯N型单晶硅料和硅棒制备、低能耗多晶硅生产工艺、超高纯原料氢气制备、多晶硅生产系统氯资源回收利用
学问题研究和关键核心技术攻关。加快建设碳中和技术创新中心。瞄准四川省新兴产业培育与传统产业转型升级的重大需求，突破“碳减排”“碳零排”“碳负排”关键核心技术瓶颈，为全国实现碳中和目标提供技术支撑。加快建设

、内生性、多方位转型。在光伏产业领域，协鑫“十年磨一剑”，从GCL法多晶硅技术到FBR颗粒硅技术，推动多晶硅的耗电量和成本在10年内分别下降64%与90%，获得中、法两国碳足迹认证证书，打破全球多晶硅

疲软，2009年多晶硅价格出现大幅跳水。加之国内企业突破多晶硅技术瓶颈，随着产能释放和供需趋于平衡，多晶硅价格已经下降至50美元/公斤左右。2010-2011年，受光伏市场需求超预期而硅料产能

来，通威对于光伏的“雄心”始终未被浇灭。2015年，彼时的通威步入成长瓶颈。当时作为水产巨头的通威股份发布了年报，营业收入140.79亿元，同比下降8.63%;归属于上市公司股东的净利润3.31亿元，同比
归母净利润95.06亿元，同比增长219.10%，环比增长35.22%。量利双升是通威股份发展的真实写照。硅料方面，受益于多晶硅需求持续旺盛、价格同比上涨，叠加公司新产能快速爬坡达产，通威在多晶硅业务

硅业分会统计，10月份国内硅片产量增加至33.5GW，环比增加8.8%，其中单晶硅片产量为32.7GW，环比增加6.3%，多晶硅片产量维持在0.8GW，环比持平。需求方面，单晶硅承压出货遭遇瓶颈。电池端