多晶硅太阳电池
当前，市场上的太阳电池大多以P型单晶硅电池为主，其制备工艺相对简单、成本较低，再加上单晶PERC技术和选择性发射极技术的引入，使得P型单晶电池组件效率得到大幅提升，目前量产效率已突破23%。但由于P
诱导衰减现象，可以进一步降低光伏发电的制造成本及系统成本，这使其成为高效晶体硅太阳电池的必选材料。
据德国知名太阳能研究所(ISFH)在2019年的报告分析，以Topcon(Poly
随着光伏技术研发与产业化的不断进步，晶硅太阳电池的转换效率逐渐迈入26%的行列，马丁格林在Progress in Photovoltaics发布的太阳电池效率表格(58版)显示，转换效率25.5
%效率的晶体硅太阳电池均采用了钝化接触结构。早在2017年，中来光电就在量产电池中使用钝化接触结构技术，运用的是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide
掺杂多晶硅层组成，具有量产效率高、兼容现有产线等优点，被广泛认可为下一代主流晶硅太阳电池技术。因此，研究高效TOPCon电池技术、理解关键科学问题、突破核心材料技术、研制先进量产装备技术是当前光伏研究
。
值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
最小化.然而，高掺杂会导致载流子扩散长度的减少，从而增加载流子复合。因此，在传统的p-n结c-Si太阳电池中，存在一个最佳的发射层掺杂浓度.由于TOPCon太阳电池中p+或n+多晶硅层的厚度只有30nm
也好的发展，收益也会比较乐观。
高平奇：晶体硅太阳电池转换效率极限及路径探讨
在学习了碳交易的新知识后，我们继续回到光伏产业方面，中山大学材料学院副院长/教授高平奇院长为我们带来了《晶体硅太阳电池
，实现双碳目标是一场广泛而深刻的经济社会系统性变革。
目前，晶体硅太阳电池发展现状是三种高效晶体硅太阳电池技术的路径之争。其中，HJT电池实验室1年之内达26%，再用3-5年有望达到27%，再10年
太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以
使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，极大地降低金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流，从而提升电池转化效率。
TOPCon 的发展历史其实
电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案
减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，极大
市场占有率仍在不断扩大。
TOPCon成套银浆产品未来市场空间广阔
据了解，TOPCon 是一种在 PERC 结构电池基础上，在硅片背光面制备超薄膜氧化硅层和沉积高掺杂多晶硅层，以达到降低界面
高性能银铝浆开发项目和薄膜硅/晶体硅异质结(HJT)太阳电池超高导电性低温银浆开发项目以研发新型银浆产品，并取得了突破性进展。2020 年 TOPCon 电池用银浆的市场需求量在 100吨左右，其中聚和
电池片技术
晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性
。
TOPCon 原理：在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅薄层。两 者共同形成的钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层时租到少子空穴复合，进而
交通大学、复旦大学、中科院上海技物所、中科院上海光机所等国内最早从事光伏研发的学府和机构;在多晶硅、硅片、太阳电池等原材料和器件，以及光伏专用设备、光伏平衡部件和配套辅材辅料等方面具有产业基础;在光伏电站
