多晶硅太阳电池

　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30
%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10

，其中关键指标包括：多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有
太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果
底层氮化硅的厚度只有30nm，光吸收相对光增益占了次要位置，而且表面钝化的增强，所以总的来说双层氮化硅对多晶硅太阳电池有着积极的影响。4结论利用Centrotherm管式PECVD在多晶硅上生长出双层

索比光伏网讯:为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小

，装机成本1.2万-1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到
50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利

高度重视，近年来太阳能技术、产业和应用取得了全面进步。2010年，多晶硅实际产量45000吨，自给率从2007年的10%提高到2010年的50%；自2002年以来，我国太阳电池产量均以100%以上的
、工程建设、运行维护等产业链技术服务体系。关键指标如下：（1）实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；（2）晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程

较大。三、结语多晶硅太阳电池用作地面上的电源时，根据需要将单片电池先进行串并联组合，然后密封在透明外壳中以构成太阳能组件。外壳通常用强化玻璃和透明的耐水性树脂构成。多晶硅太阳电池在构成组件后，已装有

最大太阳能电池封装生产商。公司也提供自己生产的多晶硅锭封装成电池。 赛维主要客户有CSI、中轻太阳能、林洋新能源、升阳科、Solland Solar Energy B.V.和无锡尚德。赛维和中轻太阳能
，电池年产6兆瓦生产能力以及太阳电池组件年产50兆瓦生产能力，产量规模位居国际同类行业前列，是国际太阳能电池产业的重要制造商。天威英利不断完善产品质量，2003年通过了ISO9001质量管理体系认证和