多晶炉
硅棒、80GW切片、30GW电池片、10GW组件产能，实现产值1100亿元、增加值220亿元;2025年，力争形成20万吨多晶硅料、100GW硅棒、100GW切片、50GW电池片、40GW组件、300
，2020年12月28日，中电彩虹超薄高透光伏玻璃项目落户上饶。该项目总投资达106亿元，计划建设10座光伏玻璃炉及配套加工生产线，填补上饶光伏产业光伏玻璃配套空白。让上绕在竞逐世界光伏城过程中更显底气
的关键三年，隆基成立单晶生长、金刚线切片专门课题组进行技术攻关。RCZ单晶生长技术减少了停、拆炉时间，从而降低了分摊到每公斤晶棒的拉晶时间和坩埚成本，能源利用率也提高。使得单晶硅棒和多晶铸锭的巨大的
：单晶还是多晶?为什么坚持单晶的路线?
吕俊：确实，2006年的时候，隆基站在战略选择的十字路口。当时隆基的眼光已经从半导体转向光伏。那时候的光伏还处于产业化发展的早期，各自技术路线五花八门，让人有些
(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、扩散炉、刻蚀设备; (2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀
原有的多晶籽晶，从而长出单晶硅块出来。在设备上，多晶硅铸锭炉加少量的改造可以做成铸锭单晶炉。 协鑫原有的缺点：加热的不对称性，散热通道不好，从而导致单晶率不高。宝峰是之前有很好的热场设计经验，也请了
的沉积目前有3条主要的工艺路 线(在PERC上基础上增加，图中黄色部分)：
(1)本征+磷扩：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD
、扩散炉、刻蚀设备;
(2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、离子注入 机、退火炉、刻蚀设备
提供了包括还原炉、氢化炉、特种换热器、溴化锂制冷机等核心设备，合同累计金额超过了10亿元。新特能源多晶硅生产工艺的不断提升，也促进了双良节能多晶硅设备技术的不断改进，保持着市场技术领先水平。10年的
多晶硅还原炉等，近期多次中标通威股份等硅料厂商的设备招标。一家以光伏设备立业的厂商转做光伏硅片，不禁让人想到上机数控与京运通，这种转型思路似乎已经成了模板。
说来也巧，双良节能与上机数控均位于
，按照彼时的市场价，上机数控未来几年在手订单金额合计达292亿元。
与上机数控类似，京运通也是硅片新势力中较受关注的一家。公司主营业务原本包括铸锭炉和新能源电站运营，其中，单晶炉、铸锭炉是将硅料拉制
、世界第二，整体技术达到国际先进水平。 今年双良节能与新特能源在光伏产业领域的合作正值10年，双良节能向新特能源多晶硅业务提供了包括还原炉、氢化炉、特种换热器、溴化锂制冷机等核心设备，合同累计金额超过
硅片的生产主要包括四个环节：长晶、截断切方、切片和测试分选。其中主要环节为长晶和切割。长晶是指在特定环境下，将硅料生长成硅晶体的过程。硅片主要分为单晶硅片和多晶硅片，二者最大的区别也是发生在长晶环节
。
对于单晶硅片而言，在生长的过程中首先需要多晶硅料通过直拉法或区熔法形成单晶硅棒，其间原子排列有序;对于多晶硅片而言，则先需要多晶硅通过铸锭法形成多晶硅锭，其内部原子结构没有发生变化，仍为无序排列
和掺杂非晶硅钝化背面。其 中 SiO2 厚度 1-2nm，可使多子隧穿通过同时阻挡少子复合;掺杂的非晶硅厚度 20-200nm，经 过退火工艺使非晶硅重新结晶为多晶硅，可同时加强钝化效果，避免了在
。
1) TOPCon 电池采用 N 型硅片，需要在 PERC 产线上增加硼扩设备，背面的 SiO2隧穿层 和掺杂多晶硅层，分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积) 中
