多晶异质结

选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。 目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面
少得多。因此，我们将重点关注一体化双端叠层电池。 图8：典型的一体化双结叠层电池结构 底电池 底电池可以采用P型硅片或N型硅片。虽然大多数实验室项目都采用N型异质结电池，但P型电池其实

。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。 目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒
。虽然大多数实验室项目都采用N型异质结电池，但P型电池其实也是可行的。其中，顶电池和底电池的极性需要相匹配，这一点至关重要。在集成一体化型电池结构中，顶电池通常采用反型结构，将P层作为底层。这意味着底

开工建设。 领跑者基地开建 晶科势头正旺 据报道，2019年1月7日晶科电力在上饶鄱阳县250MW项目举行了开工仪式，作为光伏技术领跑者，要求多晶组件的光电转换效率超过18%，单晶组件超过18.9
规模化应用 光伏领跑者项目的意义不仅是在某一个领域推动了技术发展，而是推动了每一个环节的技术进步。在近日中国光伏行业协会研讨会上，工信部吴胜武指出2018年使用PERC电池技术的单晶和多晶

的单晶和多晶电池效率提升到21.8%和20.3%，较2018年提升0.5和0.3个百分点。同时，N型、异质结、半片、叠瓦、MBB、双面等电池组件技术和1500V系统技术开始规模化应用。 在产品

，同时硅片尺寸增加越多，相应成本增加也越多。多主栅最大的优势是可以减少银浆的消耗量，在单多晶常规产品上可节省浆料10%左右，在异质结产品上可节省浆料50%以上。 由于多主栅技术在电池端成本下降，在
技术总监李高非也表示，从产线兼容性、市场需求、产品可靠性来看，2019年最主要的发展路线将是大硅片、MBB、双面PERC。李高非认为，硅片边长每增加1mm，多晶电池效率增益可提高0.25%，单晶亦相当

升级，为企业技术创新持续提供外在驱动力。 在此情况下，掌握核心竞争优势才可在激烈的市场竞争中站稳脚跟。拥有高效多晶硅太阳能组件、高效背钝化单晶(PERC)组件和超高效异质结(HJT)组件产能的晋能科技
已在领跑者基地项目中崭露头角，先后为大同、芮城、新泰等多个领跑者项目提供高效单晶PERC、高效多晶组件。 1月9日，国家能源局《关于积极推进风电、光伏发电无补贴平价上网通知》光伏政策出台，为平价上网

，但是，中国的优秀企业家消化国外的先进技术，推动了中国光伏发展步伐领先全球。 目前半导体材料技术、晶体硅生产工艺基本原理很难被颠覆，万变不离其宗。异质结等新型硅基太阳电池有更大的发展空间，也是
第一。最难的就是多晶硅，2001年我跑四川的739，当时9台炉子，每年只有20吨。最后，保利协鑫啃下了这个硬骨头，再加上装备，我们产业链打通了，这四部曲，中国都是霸主。第五部曲就是有没有颠覆性的技术

。 然而，三季度特斯拉在加州交付了17MW工商业项目，比上年同期高出77%，比2018年二季度高出80%。 与单晶硅和多晶技术相比，松下高效能N型单晶HIT(有内部涂层的异质结)电池/组件技术
组件制造商(以产能计)主要关注的是多晶硅技术。我们稍后将重新探讨这一问题。 其他前主流供应商(天合光能、REC、京瓷和LG电子)并未从三季度第三方供应的激增中受益。 然而,未指明的其他公司本季度共计

组件技术蓬勃发展的一年，从产业化来看，PERC基本成为产线标配，半片成为主流，双面组件大放异彩，越来越多的企业布局叠瓦和异质结技术等。 从技术研发来看，各种电池组件技术的效率纪录不断被刷新，如单晶
多晶硅(致密料)价格从年初的155元/公斤降到年底的80元/公斤，降幅达48.4%;多晶硅片从4.3元/片降到2.06元/片，单晶硅片从5.1元/片降到3.05元/片，降幅分别为52.1%和40.2

秘书长王勃华曾表示，整个中国光伏产业5月份之前仍然是维系了2013年以来的高速发展态势，增长还是很快，但是后几个月应该说一路下滑得非常厉害。 据王勃华介绍，以多晶硅为例，1-9月的产量不到18万吨
多晶硅、硅片放量，必然将引发价格下降的新变化，在这种趋势下，马太效应出现，低成本、高竞争力的公司会胜出，巨头们的策略是通过把自己的市占率提高，从而淘汰掉高成本的竞争对手。 事实上，531光伏新政后