多晶异质结

总部的产能为1.2GW。这1GW的扩产项目将在上海实现，主要生产晶硅电池，其中单晶硅电池的转换效率不低于18.5%，多晶硅电池效率不低于17%。但是这样的转化效率在诸多产品中已经不再占有很好的优势了
转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化

应用前景。从此，以利用太阳能为背景的光电化学转换成为一个非常活跃的科学研究前沿。光电化学太阳电池的一个突出的特点是材料制备工艺简单，即使应用多晶半导体也可期望获得有较高的能量转换效率，可大大降低成本
%，用MOCVD方法在p／p+-Si电极表面覆盖TiO2薄膜形成异质结结构，不仅提高了光稳定性能，而且在一定电压下光电流增大了10倍。用同样的方法覆盖-Fe2O3，和ZnO薄膜也得到了类似的结果。用LB

%，多晶硅电池效率提高到16.8%。阿特斯研发项目的长远目标还包括异质结本征薄层（hetero-junction intrinsic thin-layer ）电池和多结电池的研发。这些工作将在几年内完成，并能

结构，该结构将结合使用改进的选择性发射极工艺、更好的纹理化（texturization）、精密的丝网印刷，以及其他的一些改进。新结构预计能使单晶硅电池的转换效率提升到18.5%，多晶硅电池效率提高到
16.8%。阿特斯研发项目的长远目标还包括异质结本征薄层（hetero-junction intrinsic thin-layer ）电池和多结电池的研发。这些工作将在几年内完成，并能将电池的转换效率

、多晶硅电池片平均效率分别可达17%和15.8%。 决定电池效率的因素主要分散在电池生产的各道工艺环节当中，从硅棒生长、切割，到电池的制备。就电池制备而言，又先后经历制绒清洗、扩散、镀膜
%。每条生产线的电池片年产值只剩3.9亿元左右。扣除刚性生产成本，电池生产过程的边际利润进一步被压缩。 随着我国高纯多晶硅生产的技术和产能瓶颈被打破，供求平衡关系发生逆转，硅片和组件价格

39.7%。 LayTec和“III-V外延和太阳能电池”小组的合作目标是利用工艺控制改良了的多晶片MOVPE反应器，为大规模制造三结太阳能电池开发监控传感器。来自Fraunhofer ISE的
生产LED。经过改良之后，可为基于行星式旋转条件下的多结太阳能电池生长提供必要的精度。除了温度、层厚以及应力测量之外，新的传感器可以确定层组分，以更好地理解层之间的位错和应力所在。这样对应力引发的温度变化有补偿作用，可以确定每片薄膜层的厚度并监测出临界异质结构的组分。 (编辑：小曾）

：REC。 这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节，即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备，这个环节技术门槛高
(尤其是多晶硅)，具有一定垄断性，以Hemlock、Tokuyama、REC等公司为代表，它们掌握晶硅制备技术，占据全球太阳能多晶硅总产量的95%以上。第二个环节是硅片(Wafer)生产。这一环节的主要

开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜
有化学吸收，使光电导率衰减。 未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中

太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池
）表面织构化电池——也称绒面电池，最早（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率η≥15％，AMI时η＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。 （4）异质结太阳电池——即不同

太阳能光热发电系统、槽式太阳能光热发电系统、盘式太阳能光热发电系统和点聚焦太阳光热直接发电系统。 技术开发　　39 晶硅太阳能电池 包括：单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池
。 商业化、技术改进　　40 薄膜太阳能电池 包括：多结非晶硅薄膜太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池。 技术研发　　41 其它新型太阳能电池