多晶太阳电池

　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶
硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30
%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10

，其中关键指标包括：多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有
太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果
试制。本文侧重于双层氮化硅减反膜多晶太阳电池的工业研制，并借助Sentech公司的SE400adv、Varian的Cary5000研究了双层氮化硅对多晶电池电性能的影响。2实验156156cm、电阻率

索比光伏网讯:为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小

，装机成本1.2万-1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶
硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到
50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利

高度重视，近年来太阳能技术、产业和应用取得了全面进步。2010年，多晶硅实际产量45000吨，自给率从2007年的10%提高到2010年的50%；自2002年以来，我国太阳电池产量均以100%以上的
、工程建设、运行维护等产业链技术服务体系。关键指标如下：（1）实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；（2）晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程

较大。三、结语多晶硅太阳电池用作地面上的电源时，根据需要将单片电池先进行串并联组合，然后密封在透明外壳中以构成太阳能组件。外壳通常用强化玻璃和透明的耐水性树脂构成。多晶硅太阳电池在构成组件后，已装有

，光伏产业的火热发展，正如早晨冉冉升起的太阳，把开发区带进一个鲜活全新的世界。从整个产业看，目前基地内产业涉及单晶、多晶太阳电池片、太阳能电池板、太阳能路灯、太阳能光伏系统、风光互补系统、太阳能广告灯
、单晶硅太阳电池片和单晶硅太阳组件生产等领域，逐步形成了从上游配套材料、中游光伏电池及组件制造到下游光伏应用的相对完整的产业链雏形。目前，中国太阳能光伏电池板和组件产量占据世界总量的一半，它引领着全世界