多晶制绒

多晶制绒,索比光伏网为您提供多晶制绒相关内容,让您快速了解多晶制绒最新资讯信息。关于多晶制绒更多相关信息,可关注索比光伏网。

MWT背接触晶体硅光伏技术概述来源:SOLARZOOM 发布时间:2015-05-04 09:55:17

接近,当然在细节方面还是有所差异,图3是德国ISE研究所提出的一个p型硅MWT电池基本工艺流程。 图3所示的MWT电池工艺流程,和常规电池相比,在清洗前增加了一道激光打孔工艺,此外还采
接触技术最新进展 在过去的几年,MWT背接触技术发展很快,多晶MWT电池平均效率达到18.2%~18.5%,单晶MWT电池平均效率也在20%左右,而且MWT技术还几乎可以融合目前可能的其他产业化

多晶硅PERC提供25%的效率来源:pv-magazine 发布时间:2015-04-08 23:59:59

不知道对于后电解质也会如此,因为也可能是别的什么技术。对于多晶硅PERC应用程序,我知道存在很多技术挑战,尤其是涉及到准备晶圆和方面,你相信这些挑战能够被克服吗?我想是的,只要有人能够找到行之有效

多晶硅PERC太阳能电池效率将突破25%来源:pv-magazine 发布时间:2015-04-07 23:59:59

,但我不知道对于后电解质也会如此,因为也可能是别的什么技术。对于多晶硅PERC应用程序,我知道存在很多技术挑战,尤其是涉及到准备晶圆和方面,你相信这些挑战能够被克服吗?我想是的,只要有人能够找到

光伏国内市场实现转型:核心生产设备起步来源: 发布时间:2015-04-07 08:41:59

阶段,在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中,8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位,其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗设备、组件层压机、太阳模拟仪等已达到或接近国际先进水平,多晶
衡等问题得到不同程度的缓解,多晶硅、组件等环节产能过剩压力逐步降低,核心设备及关键辅料国产化替代进程不断加快。在光伏发电应用方面,新增装机连续两年保持在10GW左右,分布式光伏发电在新增装机量中所

赛迪顾问:光伏国内市场实现转型来源:中国投资 发布时间:2015-04-07 08:06:33

。2014年,国内光伏制造设备水平仍处于快速提升阶段,在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中,8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位,其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗设备、组件层压机、太阳
问题得到不同程度的缓解,多晶硅、组件等环节产能过剩压力逐步降低,核心设备及关键辅料国产化替代进程不断加快。在光伏发电应用方面,新增装机连续两年保持在10GW左右,分布式光伏发电在新增装机量中所占比重将

不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响来源:solarzoom 发布时间:2015-04-02 23:59:59

硅的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度,所以还需进一步提纯制得单晶硅。目前大多使用直拉法制造的单晶硅,在石英坩埚中将多晶硅加热熔化,加入掺杂剂,用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的
程度上决定了太阳能电池的性能。人们从石英砂中用碳还原的方法制得工业硅,但此时的工业硅纯度不是很高,其中还含有铁、铝、钙、镁等很多金属杂质;然后,再提纯去除这些金属杂质,还原沉积出来高纯的多晶硅;而多晶

三部委关于征求对光伏行业清洁生产评价指标体系(征求意见稿)意见的函来源:国家发改委 发布时间:2015-04-02 10:10:19

清洗去除硅片表面微粉、金属离子等,最终获得表面清洁的硅片的工序。3.7电池工序通过在晶体硅片表面腐蚀、扩散或离子注入形成PN结、沉积减反射膜以及制备金属电极,形成将太阳辐射能直接转化成电能的光伏器件
)计算:式中:晶硅电池工序综合电耗,单位为万千瓦时每兆瓦(万kwh/MWp);统计期内晶硅电池工序总耗电量,单位为万千瓦时(万kwh);统计期内晶硅电池产量,单位为兆瓦(MWp)。电池工序实际耗电包括

我国高效晶硅太阳能光伏电池技术进展(上)来源: 发布时间:2015-03-31 09:12:59

晶硅电池要深很多,呈黑色。其核心是通过刻蚀技术,一方面在常规硅片表面的基础上,形成nm级的小绒面,纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm,长径比为0.9,从而加大陷光的效果,降低反射率,增加

安徽省能源局刘健局长一行调研通威太阳能合肥公司来源:世纪新能源网 发布时间:2015-03-30 23:59:59

公司首席执行官游振忠等热情接待了来访客人一行并汇报了通威公司发展情况。  在多晶硅电池生产车间,刘健局长亲入生产一线,观摩从、扩散到测试分档的生产全过程,与现场生产工艺人员深入交流了电池片关键

我国高效晶硅太阳能光伏电池技术进展来源:世纪新能源网 发布时间:2015-03-29 23:59:59

常规的蓝色晶硅电池要深很多,呈黑色。其核心是通过刻蚀技术,一方面在常规硅片表面的基础上,形成nm级的小绒面,纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm,长径比为0.9,从而加大陷光的效果,降低