多晶制绒
、制作光陷阱结构。 硅表面的光反射损失在损失比例中占了相当大的比重。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子
。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE）。另外，也可通过光刻的手段制作倒置金字塔陷光
比重。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE）。另外，也可通过光刻的手段制作倒置金字塔
硅生产设备、大容量高效率多晶铸锭炉和单晶炉、多线切割机、硅片测试分选设备、多晶在线制绒设备、减压扩散炉、全自动丝网印刷机等的研发与产业化。研发晶硅太阳能电池自动化生产线，实现整线交钥匙能力。加快高效电池用
下降。因此，铸锭与拉晶成本对比，单晶VS多晶，多晶勉强维持着一定的相对优势，多晶的对比优势在缩小。 三、切片成本对比 多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在
缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或
正在下降。因此，铸锭与拉晶成本对比，单晶VS多晶，多晶勉强维持着一定的相对优势，多晶的对比优势在缩小。 三、切片成本对比 多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对
制绒，多晶采用各向同性酸制绒。目前由于多晶由于转换效率和单晶只相差1-2百分点，制造成本低，是电站组件选型的潮流之选。单晶生产工艺几乎都可以用于多晶电池工艺生产，生产规模迅速扩大。由于单晶电池工艺近期
等离子体浸没离子注入法成功制备出具有不同绒面结构的多晶黑硅。利用原子力显微镜（AFM）、分光光度计和量子效率测试仪分别对黑硅的表面结构、反射率和内量子效率进行了分析研究。研究结果表明，使用不同制绒条件在黑硅
硅片的市场带来了新的挑战。但几个因素将保证多晶硅片的市场竞争力，包括：多晶硅片在PERC技术中仍然会得到广泛的应用;RIE等新的硅片表面制绒技术将使金刚线切片很快地应用到多晶硅片中来;高效多晶还有提升效率
