多晶制绒

单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带

差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析

，多晶的对比优势在缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的

下降。因此，铸锭与拉晶成本对比，单晶VS多晶，多晶勉强维持着一定的相对优势，多晶的对比优势在缩小。 三、切片成本对比 多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线

企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节，单多晶都是沿用相同的工艺环节，制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结，其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用

企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节，单多晶都是沿用相同的工艺环节，制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结，其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用不同制绒机

企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节，单多晶都是沿用相同的工艺环节，制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结，其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用

都是沿用相同的工艺环节，制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结，其他环节都是控制标准的差异,区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用不同制绒机，单晶采用碱溶液腐蚀，多晶采用酸溶液腐蚀，其他基本一致。也就是说，在电池

/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺