外延片

京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压
样品，并获得了好评”。 　　此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。具体来说，是把市售的直径为3英寸、厚度为1cm左右的SiC底板削薄后，在上面形成具有高均匀度的SiC外延生长薄膜，再实施氮（N

总衰退不大于15%。　　GaAs基系太阳电池经历了从LPE到MOVPE，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构发展变化，其效率不断提高。从最初的16%增加到25%，工业生产规模年产达100KW以上
。在1980年代，很多研究机构进行了一系列成功的实验，在聚光技术方面取得了突破性进展，如非涅耳透镜、棱形玻璃盖片等。在1990年代中期，线聚焦Fresenel透镜聚光阵技术已经成功地用于SCARLET

。２００６年，福建省共生产ＬＥＤ芯片、外延片５０亿粒，居全国第一位。良好的产业基础也吸引了台湾产业巨头前来投资，目前台湾明达、新晶元、乾照纷纷到福建设厂，完善了福建ＬＥＤ产业链条。 “头羊

生产线竣工投产。公告表示，公司已经储备了5MW的硅片，2006年预计产量为8MW太阳能电池及组件。　　南玻股份也决定全面进军太阳能光伏产业，并表示将培育该产业成为公司的支柱产业之一。　　春兰集团计划斥资
。在过去的三年内，无锡尚德等太阳能光伏企业在这个行业取得了惊人的成功，而芯片半导体业却陷入了行业低迷时期。尽管，这两个行业的基本原料是相同的：硅片。　　在太阳能光伏行业刚刚兴起之时，芯片厂废弃不用的头尾料

满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺
） 用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发

1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低
采用吸杂、钝化、背场等技术。 近年来吸杂工艺再度受到重视，包括三氯氧磷吸杂及铝吸杂工艺。吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用，可见其对纯度达到一定水平的单晶硅硅片也有作用，但其所用的条件未必

14500吨。 　　世创电子材料是超纯硅晶片市场的全球领先者。其产品组合包括直拉单晶硅、区熔单晶硅、200毫米、300毫米抛光晶片和外延晶片等领域。作为中国半导体支撑材料业的供应商之一，世创电子材料也提供
生产基地的多项投资，提升现有的生产能力。“我们在萨克森州扩大了弗莱贝格生产基地的300毫米硅片生产能力，增加到了目前的月产20万片。博格豪森生产基地也正在扩建生产能力，未来将达到月产13.5万片

城市。”市政府副秘书长、市经济开发区管委会主任季允丰说，扬州的太阳能光伏和半导体照明产业已分别形成了“多晶硅-单晶硅-单晶硅片-电池芯片-电池组-太阳能灯具”和“蓝宝石衬底-外延片-芯片-封装-应用

大力支持下，扬州半导体照明和太阳能光伏产业初步形成了“蓝宝石衬底—外延片—芯片—封装—应用”的LED产业链和“多晶硅—单晶硅—单晶硅片—电池芯片—电池组件—太阳能灯具”的太阳能光伏产业链。“十一五
”期间，我市将继续加大半导体照明和太阳能光伏产业的推进力度，形成年产3000吨多晶硅、4000吨单晶硅棒、2亿片单晶硅片的生产能力。 　　来自各地政府部门、行业协会的领导，中科院、北京大学、华中科技