复合机理

。 在硅片表面，晶体的周期性被破坏从而会产生悬挂键(如图1)，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级;位错、化学残留物以及表面金属的沉积等都会引入缺陷能级，这些都使得硅片表面成为复合中心。而且，随着硅片
厚度的减薄，少数载流子的扩散长度可能接近或大于硅片的厚度，部分少数载流子将扩散到电池背面而产生复合，这将对电池效率产生重要影响。 随着晶体硅太阳电池的薄片化，表面复合成为了影响太阳电池效率的关键因素

PERC电池转换效率之间的关系，探讨烧结过程对PERC电池性能的影响及其内在机理。 1 Al2O3对硅的钝化机理 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的
，使Al2O3薄膜显出负电性，在Al2O3/Si界面产生一个指向硅片内部的界面电场，使载流子可迅速逃离界面，降低界面复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响 采用梅耶博格公司的

大面积功率输出的单体太阳能电池尤为重要。 1栅线设计原理 与上电极有关的功率损失机理包括由电池顶部扩散层的横向电流所引起的损耗、各金属线的串联电阻以及这些金属线与半导体之间的接触电阻引起的损耗。另外
死层，使蓝光响应变差。而高方阻具有较低的表面杂质浓度，可有效降低表面的杂质复合中心，提高表面少子的存活率，同时增加短波的响应，有效的增加了短路电流和开路电压，达到提高效率的目的。但是与此同时表面

抛光。 钝化膜 硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响，钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响，从而保证电池的效率。 晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和
。 钝化主要通过以下两种方式来减小复合速率，提高少数载流子寿命：一是化学钝化，即使界面的各种缺陷态饱和，降低界面缺陷浓度，从而减少禁带内的复合中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场

本文结合光伏发电模拟数据，分析影响光伏组件输出功率的主要因素，重点阐述光伏组件的温度特性、老化衰减、初始光致衰减对组件的影响机理。 1.光伏组件的温度特性 光伏组件一般有3个温度系数：开路
幅度的下降，但随后趋于稳定，不同种类电池的光致衰减程度不同： P型(硼掺杂)晶硅(单晶/多晶)硅片中，光照或电流注入导致硅片中形成硼氧复合体，降低了少子寿命，从而使得部分光生载流子复合，降低

晶体制造的，但这种电池存在着光衰减现象，也就是指电池在服役过程中转换效率会发生迅速衰减的现象。该现象已经成为制约高效太阳电池发展的一个重要瓶颈。 目前光衰减现象的性质和机理还未完全清楚，它是当前国际上
晶体硅太阳电池材料和器件方向的研究热点之一。本文着重阐述了现有的P型晶体硅太阳电池光衰减的机理与抑制(或消除)光衰减的措施。 1 衰减机理 Fischer和Pschunder在1973年发现了掺

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
等一系列优势。 PERC电池的光衰问题 P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。 单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池

转换效率之间的关系，分析工艺参数对硅片少子寿命的影响，并得出少子寿命与PERC电池转换效率之间的关系，探讨烧结过程对PERC电池性能的影响及其内在机理。 1 Al2O3对硅的钝化机理
复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响 采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体