复合机理

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OFweek观察:近期全球太阳能技术成就一览来源: 发布时间:2014-02-26 01:04:59

电池单色光光电转换效率提高了16.1%,对应的单体开路电压达到了615mV。针对电池中电荷收集与转移率不高的缺陷,研究了不同的条件对纳米材料生长机理的影响,研究制备了电荷收集与转移率较高的氧化锌树枝状
,因此,提升太阳能电池的光电转换效率的主要途径是提高光伏材料对光的吸收和抑制光生载流子的复合,而实现这两者的研究主要集中在能带调控上。如何制备能带位置匹配的新型光伏材料依然是目前研究的难点和热点。最近

物理所钙钛矿型甲胺铅碘薄膜太阳能电池研究获进展来源: 发布时间:2014-02-14 14:58:59

薄膜太阳能电池的最高效率达到了8%,还远低于基于空穴材料的钙钛矿型电池。同时,对该类太阳能电池工作机理的认识上还存在敏化机制和异质结机制的争论。最近,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹
A在1.85~1.93之间,表明该电池的二极管正向饱和电流主要由半导体耗尽区的载流子复合决定,首次证实了异质结空间电荷区的存在。同时计算得到了该电池的串联电阻和二极管正向饱和电流值,结果表明,该电池的

杜邦的正银——产品技术分析来源:电子胶水●中国 发布时间:2013-11-12 15:02:18

做了第五主族元素参杂,那在背银里它会扩散到背面从而在背面形成复合中心大大降低电流的,或者在背面整面印刷正银,然后清洗掉看看背面的P+浓度是否降低。 那么看看这个主材的变化即粒径增大或者活性降低
中困难重重,也比较难以实现。而这个第三种也就是杜邦在各个专利里及论文资料里所提到的银胶体的隧道导电机理的。这个理论说白了,就是银要与硅接触面积越大越好,而且之间的阻挡层越薄越好。这个没有什么的,一切

光伏电站建设背后:隐裂的材料风险(二)来源:pv-tech 发布时间:2013-10-31 23:59:59

,以PCT60-90hr(121℃/100%/2atm)条件为例,121℃并非户外老化机理,堪称破坏性测试。测试的目的不是为了在极端单项条件下破坏产品,而是在接近户外与模拟实际使用环境的情况条件下进行测
成本降低,回归双面含氟复合型背板KPF。吴小平向《PV-Tech PRO》介绍,E膜是赛伍公司2010年首创技术并获得专利,其KPE背板第一家使用于天合光能,此后其他背板公司开始跟进。但在使用中发

光伏电站建设“背后”:隐裂的材料 25年的风险来源: 发布时间:2013-10-31 11:13:59

问题上,界限开始变得模糊,因为哪怕只有少量氟塑料,也可以解释为含氟。现在一些涂层背板也称其含氟,但是含氟量具体占比不得而知。在综合各家所言后,本刊将背板分为三大类:第一类是传统的以氟膜为基础的复合型背板
问题上,复合型背板与PET非氟背板供应商观点出现一致,他们将问题抛给了氟涂层背板:现在的FEVE涂层背板,经化学交联形成,相对尖锐的机械形态甚至硬币就容易致其脱落,耐磨性能也很差,不适合风沙较大的西部

光伏电站建设“背后”:隐裂的材料风险来源: 发布时间:2013-10-31 10:35:27

是传统的以氟膜为基础的复合型背板(如TPT、TPE、KPK、KPE、单面THV),第二类PET为基础的非氟背板,第三类为氟涂层背板(coating)以及其他新型材料。其中第一种是经受过行业考验,生产及
。然而第二类背板代表企业日本东丽Toray、康维明Coveme提出了异议,他们表示PET背板成本较低,易加工处理,层间粘合度高,外观问题少。在一个问题上,复合型背板与PET非氟背板供应商观点出现一致

保利协鑫推出高效多晶硅片第三代产品“鑫多晶S3”来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-05-14 19:38:06

全球光伏产业的高效潮流,加快光伏发电成本下降的步伐。 创新的晶体生长机理,与之匹配的热场设计以及深入优化的制成工艺,赋予鑫多晶S3晶粒尺寸的取向的高度均匀性,以及低密度的晶体缺陷
。在现有多晶光伏电池技术条件下,鑫多晶S3的晶体结构特点能有效提升入射光吸收率,降低体载流子、表面载流子复合率,减少欧姆接触电阻,进而极大提升光电转化效率。同时,鑫多晶S3牢牢把握电池技术进步方向,其

日本大学培育出用于太阳能电池的类单晶硅锭来源: 发布时间:2013-03-28 14:31:22

模式图。左为原有技术,右为新技术。(点击放大)抑制多晶化的机理。坩埚近旁的扩大图。3晶界与5晶界反应变成15晶界,可由此使多晶区域停止向坩埚中央推进。(点击放大)目前使用的太阳能电池用基板中,多晶硅
多晶化问题。为了解决这一问题,此次通过复合籽晶来形成人造晶界,利用这一晶界来抑制不需要的多晶区域的扩大。分别从利用原有技术及新技术培育的类单晶硅锭中切割出来的晶圆的截面照片。除了人工晶界的形成之外

华东师范大学极化材料与器件实验室多元半导体光伏转换研究获重要突破来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-05 23:59:59

贫铜的生长条件对于提高电池效率非常关键,为什么合成的样品容易偏离理想化学配比,又如p型导电性的根源是什么、这类半导体中有没有深能级复合中心缺陷等等。该论文第一作者:极化材料与器件实验室陈时友副研究员
原理计算模拟,从微观机理出发对上述问题给出了回答。相关理论结果在Appl. Phys. Lett.和Phys. Rev. B等期刊陆续发表后获得了国内外同行的广泛关注,系列论文的总SCI引用已经近四百

日本东北大学成功培育出用于太阳能电池的类单晶硅锭来源:日经BP社 发布时间:2013-02-05 10:10:49

的技术,右为新技术。 抑制多晶化的机理。坩埚近旁的扩大图。3晶界与5晶界反应变成15晶界,可由此使多晶区域停止向坩埚中央推进
培育类单晶硅的过程中,与坩埚接触的部分会产生大量方向与籽晶不同的结晶粒,会出现多晶体占有部分扩大的多晶化问题。为了解决这一问题,此次通过复合籽晶来形成人造晶界,利用这一晶界来抑制不需要的多晶区域的扩大