型背

Johannes Meier博士发明的，由非晶硅和微晶硅两种不同的硅材料组成的。这个具有专利的组合提升了能源转换效率，与传统的非晶硅单个电池相比，提升了50%。制成的环保型高效微晶硅叠层组件为客户提供了
，正电极和背电极层 2. KAI1200为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，非晶和微晶硅光敏层 3. LSS 1200激光划线来制作串联电池。 (编辑:xiaoyao)

一阶段，太阳能研究工作取得一些重大进展，比较突出的有：1945年，美国贝尔实验室研制成实用型硅太阳电池，为光伏发电大规模应用奠定了基础；1955年，以色列泰伯等在第一次国际太阳热科学会议上提出选择性
太阳能开发银行，促进太阳能产品的商业化。日本在1974年公布了政府制定的“阳光计划”，其中太阳能的研究开发项目有：太阳房 、工业太阳能系统、太阳热发电、太阳电池生产系统、分散型和大型光伏发电系统等。为

里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造
）背表面电场（BSF）电池――在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。 （2）紫光电他

已开始在澳大利亚建造一座70MW的槽型太阳能热发电装置，并计划在以色列建一座200MW的电站，同时正在洽谈在北美洲和另两洲建三座电站，每座200～300MW。Solel公司在澳大利亚的另一目标是
：① 单双层减反射膜；②激光刻槽埋藏栅线技术；③绒面技术；④背点接触电极克服表面栅线遮光问题；⑤高效背反射器技术；⑥光吸收技术。随着这些新技术的应用，发明了不少新的电池种类，极大地提高了太阳能电池的

（３）籽晶层或匹配层的制备 （４）晶粒的增大 （５）沉积多晶硅薄膜 （６）制备Ｐ－Ｎ结 （７）光学限制：上下表面结构化，上下表面减反射 （８）电学限制：制备背场（ＢＳＦ）和前后电极的欧姆
单晶硅衬底上用ＣＶＤ法外延生长得到２０ＵＭ的硅薄膜，在生长的同时掺入硼，使得硅薄膜成Ｐ型。再通过磷扩散在薄膜上形成Ｐ－Ｎ。在电池的正表面生长一层１１０ＮＭ的ＳＩＯ２膜，该膜具有减反射和表面钝化的双重

，同样具有较低的体电阻和背接触电阻，而且由于和高电阻p型层形成了背场，有利于Voc的提高。 2.5.3 （ZnCd）S2／CulnSe2太阳电他 为了进一步提高电他的性能参数，以
广泛应用于太阳电池窗口层，并作为n型层，与p型材料形成p-n结，从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响，特别是对电池转换效率有很大影响。 一般认为，窗口层对光激发载流子是死层，其

。通常情况下，半导体的费米能级位于禁带。费米能级距导带底较近，则电子为多数载流子，材料为n型。费米能级距价带顶近的，空穴为多数载流子，材料为p型。费米能级位置可以通过适当掺杂加以调节。就是说，半导体电导的数量和
磷形成n区，i为非杂质或轻掺日的本征层（因为非掺杂a。s是弱n型）。重掺杂的p、n区在电池内部形成内建势，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触，为外部提供电功率。i区是光敏区，光电导／暗电导比

空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
出现和发展 晶硅电池在70年代初引入地面应用。在石油危机和降低成本的推动下，太阳电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。例如： （1）背表面电场

电池种类 转换效率（％） 研制单位 备注*j 单晶硅电池 24.7±0.5 澳大利亚新南威尔士大学 4cm2面积 背接触
:} Tb9t0c9M2}/s 20.415-1 2′2光伏太阳能论坛 Photovoltaik Solar Forum-?0y6MR6liu'ec10′10(实用型) GaAs

晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及