叠片

, LightSpin, 麻省理工学院，加利福尼亚大学圣巴巴拉学院，罗切斯特大学和国家可再生能源实验室。传统的太阳能电池采取单层硅片，常规的高效率电池是采取多层硅片垂直叠压结构，以便有效地采集更多的阳光。垂直结构电池

投资不断受到媒体的关注。正泰生产的薄膜太阳能电池片2007年底面世，到现在产能达到100兆瓦。正泰太阳能的董事总经理杨立友预计到2011年，将达到400兆瓦的产能。“市场需求旺盛，供不应求，产品一出
比AMAT的非晶硅生产线低20%以上，比AMAT的叠层生产线低40%以上。 　　“First Solar为全球的薄膜生产商树立了一个良好的标杆，但它令人惊艳的指标却不是一般企业轻易能够企及的

300万美元的资助，开发在薄晶硅片上采用专用墨水“喷墨打印”的太阳能电池技术。这项技术简化了网印过程，降低了制造高效电池组件的复杂性和成本。 加州的Skyline Solar公司已经开发
光伏生产商。 新罕布什尔州的Spire Semiconductor公司计划设计三结叠层太阳能电池，通过在砷化镓基板上生长不同的双面单元来实现。这家公司获得了297万美元的资助，用来优化器件层的

、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上淀积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。　　　与晶体硅太阳电池比较，非晶硅薄膜太阳电池具有弱光响应好，充电效率高的特性。非晶硅材料的吸收系数在整个可见光范围内，几乎都比
内硅薄膜太阳电池的产品技术将会有所突破。预计到2009年，采用“非晶硅+微晶硅”技术的叠层薄膜电池的光电转换效率将达到10%，而组件的成本将低于1美元/瓦。　　　企业投资力度迅速加大　　　基于近年对

存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。 　　薄膜PV基础 　　第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后
利用化学气相淀积（CVD）方法来淀积外延层。除成本和可用性等优势以外，这种方法还可以使硅太阳能电池从基于硅片的技术逐渐过渡到薄膜技术。由于具有与传统体硅工艺类似的工艺过程，与其它的薄膜技术相比，这种技术

21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge
4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池聚光电池GaAs太阳电池 0.07 24.6

成本远低于单晶硅电池，经济效益较好。此外，非多晶硅薄膜电池也具有极大的发展潜力。 　　在晶体硅太阳能电池的产业链上分布着晶硅制备、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。上游环节的企业掌握技术优势，具有
350-450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片由硅锭锯割而成，消耗的硅材料较多。因此，受硅材料价格持续上涨影响，单晶硅电池成本居高不下，阻碍了其大规模发展。为了节省高质量的硅材料，现在各国均在寻找单晶硅电池的

满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺
） 用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发

成本远低于单晶硅电池，经济效益较好。此外，非多晶硅薄膜电池也具有极大的发展潜力。　　在晶体硅太阳能电池的产业链上分布着晶硅制备、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。上游环节的企业掌握技术优势，具有较强
的成热的加工处理工艺基础上形成的，具有最高的转换效率（光电转换率可以达到23%），在现阶段的大规模应用和工业生产中占据主导地位。但是，通常的单晶体硅太阳能电池是在厚度350－450μm的高质量硅片上

包括：柔性衬底太阳能电池、聚光太阳能电池、HIT异质结太阳能电池、有机太阳能电池、纳米非晶硅太阳能电池、机械叠层太阳能电池、薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池等。 技