双面异质结

高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结(HIT)太阳能电池，普通电池结构PANDA太阳能电池。 1.交指式背接触的太阳能电池
载流子扩散长度远大于Si片厚度。高质量Si衬底要求及复杂制备工艺，使产业化的IBC电池的制备成本很高。 2.非晶硅Si/N-Si异质结太阳能电池 日本三洋公司

密切相关，同时太阳能电池的结构也决定着电池的制造成本。目前研发的高效率晶体硅Si太阳能电池的种类较多，有代表性的三种高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结
。由于电池发电的P-N结位于电池背面，IBC电池需要Si材料的少数载流子扩散长度远大于Si片厚度。高质量Si衬底要求及复杂制备工艺，使产业化的IBC电池的制备成本很高。2.非晶硅Si/N-Si异质结

非常成熟的双面接触（H形网格）技术。但是，为了将硅PV成功地大规模引入市场，必须提高与其它能源的竞争力。因此，高效且易于规模生产（最好与较少使用资源和改善环境足迹相结合）将是使硅PV成为能对可再生能源
先进技术，使用高质量单晶基底材料。SunPower正在制造全背接触电池（叉指背接触，IBC），Sanyo则正在制造所谓的HIT（具有薄本征层的异质结）电池。MWT技术提供了一些优于这些高效电池结构的地方

组件所采用。Sanyo和Sunpower公司生产的PV组件多年来是这一规则的例外，他们采用n型硅片作为基材得到高效率电池：Sanyo是HIT（具有本征层的异质结）电池，Sunpower是IBC（叉指背
n-pasha太阳能电池的基本结构。电池有一个敞开的背面，使其有可能适合作为双面电池。这与常规的p型电池明显不同，放入有透明背面的组件时增加了效率增益。从双面电池得益的另一途径是把电池置于有反射背板箔

途径是用宽带隙的a-Si：H作为窗口层或发射层，单晶硅、多晶硅作衬底，形成所谓的异质结太阳电池。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效、低成本太阳电池
的发展前景。a-Si：H/c-Si异质结电池已经成为最有市场前景的太阳电池之一，受到国际上许多国家的广泛关注，目前许多研究机构和企业正在开展a-Si：H/c-Si异质结电池的研究。Sanyo的HIT

索比光伏网讯:三洋双面HIT电池结构图晶硅/非晶硅异质结结构：增加开路电压，提高转换效率光伏" title="光伏新闻专题"光伏技术：HIT电池工艺制程1.硅片清洗制绒2.正面用PECVD制备本征

缩小前端金属触点。虽然触点对于太阳能电池运行非常重要，但同时也阻挡光线，因此需要采用转换技术。目前有一系列太阳能转换技术可用，包括宽侧面触点、异质结电池、钝化层、选择性发射技术、新型光捕获技术、小型前端
金属化与双面电池。还有一些技术处于研发阶段，包括热载流子技术、3D电池结构以及基于稀土与硅纳米粒子的新型能量转换层等。

、异质结电池、钝化层、选择性发射技术、新型光捕获技术、小型前端金属化与双面电池。还有一些技术处于研发阶段，包括热载流子技术、3D电池结构以及基于稀土与硅纳米粒子的新型能量转换层。

生产中应用了各种光伏转换技术，包括背场技术、异质结、钝化层、选择性发射极技术、新光捕获技术、正面金属化以及双面电池。 　同样，在研究和发展阶段也取得了各种成果，包括在稀土材料和硅纳米粒子的基础上产生

地方在于，可以最大限度的减少对组件正面的金属接触。这种接触在太阳能电池生产过程中是至关重要的，同时可以阻止太阳光的反射。 目前，光伏电池生产中应用了各种光伏转换技术，包括背场技术、异质结、钝化
层、选择性发射极技术、新光捕获技术、正面金属化以及双面电池。 同样，在研究和发展阶段也取得了各种成果，包括在稀土材料和硅纳米粒子的基础上产生的热载流子技术、3-D电池结构以及新能量转换层技术