去除

衬底。因为Ge衬底能够被去除，从而器件可以安装在如聚醯亚胺胶带等柔性衬底上。 机械叠加多芯片结一般是指，将生长在不同衬底上不同频宽的电池压焊到一起而形成所谓的多芯片结。如将Ge或

具有决定性的作用。倒置赝性三结结构据称可与多项其它工艺相容，如柔性衬底。因为Ge衬底能够被去除，从而器件可以安装在如聚醯亚胺胶带等柔性衬底上。 机械叠加多芯片结一般是指，将生长在不同衬底上不同频宽

，需要开发供应极高强度的线材。目前一般多使用铁素体+珠光体（渗碳体以层状并列）组织、高含碳量（ 达到0.82%）的共析钢线材经细线加工而成。具体过程是：?准5.5毫米的热轧线材经氧化铁皮去除和皮膜处理后

，所需的表面平坦性也由1nm以下大幅放宽到10nm左右。 具体来说，就是利用聚苯乙烯等高分子材料的自组织现象，在底部电池单元上以100nm的间距、基本等间距地配置钯纳米颗粒，然后通过等离子处理去除

SolarFrontier的CIGS电池产品，就不含有Cd这一元素，这也从侧面反映了Cd是可以从CIGS电池中去除，这也是该产品发展的重要方向。记者：国内CIGS生产厂家目前的电池产品包含Cd这一成分吗？孙

10nm左右。具体来说，就是利用聚苯乙烯等高分子材料的自组织现象，在底部电池单元上以100nm的间距、基本等间距地配置钯纳米颗粒，然后通过等离子处理去除高分子材料。接下来，剥离粘贴在这上面的顶部电池单元

并对半导体加以正向偏压（p型）或反向偏压（n型并加以光照）进行表面腐蚀去除已经电解的材料，通过自动装置重复腐蚀-测量循环得到测量曲线，然后利用法拉第定律，对腐蚀电流进行积分就可以连续得到腐蚀深度。尽管
这种方法是破坏性的，但是理论上它的测量深度是无限的。ECV测试分为2步：首先是测量电解液/半导体界面形成肖特基势垒的微分电容来得到载流子浓度，然后利用阳极电化学溶解反应，按照设定的速率去除测量处的样品

。 另外，Vericell 系统采用最先进的PL 技术，结合多重感应功能和先进的软件算法，能够根据裸硅片材料预测最终的电池转换效率，其多晶硅硅片的平均预测误差小于0.15%。去除低效率硅片以及识别需要工艺