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雾里看花:分布式630前并网能否拿补贴?来源:中国能源报 发布时间:2018-06-13 10:00:11

,一片浑水之中,我们涤清杂质,依稀可以看见政策正在释放的点点月光:去除补贴、竞价上网。对不需要国家补贴的项目大力支持。普通光伏电站均须通过竞争性招标方式确定上网电价,国家制定的普通电站标杆电价作为招标

光伏电站65个常见问题解答,看到第3个我就果断收藏了!来源:零点光伏 发布时间:2018-06-11 18:19:59

去除的直击雷产生危害。运维人员应及时检测防雷模块的性能,以避免防雷模块失效所产生的危害。 22、户用分布式光伏发电系统的防火和消防应注意什么问题? 答:分布式发电系统附近禁止堆放易燃易爆物品,一旦
节大概1个月清洁一次。降尘量较大地区可以酌情增加擦拭次数,降雪量大的地区应及时将厚重积雪去除,避免影响发电量和雪融化后产生的不均匀遮挡,及时清理遮挡组件的数目或杂物等。 为了避免在高温和强烈光照下厚拭

林洋光伏荣膺2018年度环境信用评级“绿色企业”称号!来源:索比光伏网 发布时间:2018-06-11 10:30:35

处理系统、焊接烟尘净化系统、氟化物去除率高的废水处理系统等,确保符合国家和行业的废水、废气排放标准。另一方面,我司将项目环境评价、环保三同时验收情况在集团官网上公示,确保环保信息公开,接受政府部门

分析 | 晶硅电池黑斑分析!来源:零点光伏 发布时间:2018-06-08 17:59:59

NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理,硅片的厚度为190±10μm,电阻率为2±0.5Ω·cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散,等离子增强化学气相沉积(PECVD)法单面
进一步说明酸液的漂洗去除不够彻底。尽管这些杂质的含量不高,但足以在晶硅中产生复合作用,导致少子扩散长度减小,降低电池的转换效率和性能,在EL图像中呈现黑斑。 黑斑对EQE的影响 量子效率是评价太阳电池

65个光伏电站常见问题解答,看到第3个我就果断收藏了!来源:光伏盒子 发布时间:2018-05-31 18:17:59

去除的直击雷产生危害。运维人员应及时检测防雷模块的性能,以避免防雷模块失效所产生的危害。 22、户用分布式光伏发电系统的防火和消防应注意什么问题? 答:分布式发电系统附近禁止堆放易燃易爆物品,一旦
节大概1个月清洁一次。降尘量较大地区可以酌情增加擦拭次数,降雪量大的地区应及时将厚重积雪去除,避免影响发电量和雪融化后产生的不均匀遮挡,及时清理遮挡组件的数目或杂物等。 为了避免在高温和强烈光照下厚拭

金刚线切割单晶硅片制绒白斑成因分析及改善建议来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-28 10:28:57

单晶硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从树脂板上脱离下来,将胶条去除后,将硅片清洗干净。清洗设备主要是预清洗机(脱胶机)和清洗机。预清洗机的主要清洗流程为:上料-喷淋-喷淋-超声清洗-脱胶-清水
氧化作用,晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。此清洗工艺目前已经有硅片厂家采用此工艺处理清洗的金刚线切割单晶硅片,硅片在国内和台湾等电池厂家批量使用未有制绒发白问题的投诉。也有电池厂家也有

James Biggins:美国储能市场—安全法规和标准来源:中国储能网 发布时间:2018-05-24 16:08:53

。在这里监管设了一些最低的交互要求,这也是根据产品的规格以及根据测试的结果制定出来的。我们最重要关注的领域是关于火灾,包括火灾的探测、火灾的扑灭、火灾的间隔以及怎么样去除何在产生的烟雾、气体。这也

P型单晶EL黑斑分析来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-24 10:24:55

实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理,硅片的厚度为19010m,电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散,等离子增强化学气相沉积(PECVD)法
明酸液的漂洗去除不够彻底。尽管这些杂质的含量不高,但足以在晶硅中产生复合作用,导致少子扩散长度减小,降低电池的转换效率和性能,在EL图像中呈现黑斑。 3.4黑斑对EQE的影响 量子效率是评价

何继江:分布式发电市场化交易试点进展详情来源:能见Eknower 发布时间:2018-05-24 10:01:38

减少补贴甚至去除补贴。随着新投资光伏生产线的加入,预计今年生产规模有可能达到120GW。但若光伏建设规模大幅收缩,整个行业有崩盘的风险,光伏巨头破产的情况很可能会出现。所以为了整个产业的可持续发展,只能

制绒添加剂在单晶硅制绒的作用来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-23 09:49:03

结果及讨论 2.1 传统方法得到的结果 如图1 所示,硅片切割后表面会形成约5 m的损伤层,由于缺陷的存在,容易造成硅片表面少子寿命低、机械强度低等问题,在制绒前需将其完全腐蚀去除
状态,硅片表面为沟壑状,未呈金字塔形状;在500 s 时大部分损伤层被腐蚀去除,同时在硅片表面铺满金字塔,硅片表面并未出现传统的添加异丙醇腐蚀液成核、生长、成型、过腐蚀的过程,此时金字塔尺寸偏小