原子

生长a一Si薄膜的间隔，用原子氢或激活的Ar、He原子来处理薄膜，使表面结构弛豫，从而减少缺陷和过多的氢，在保证低隙态密度的同时，降低做衰退效应，这里，化学处理粒子是用附加的设备产生的。 氢稀释

窗口层。顶电池的1层主要是宽带隙非晶硅和非晶硅碳。最受重视的窄带隙材料是非硅锗。改变硅锗合金中锗含量，材料的带隙在1.leV到1.7eV范围可调。硅与锗的原子小下一，成键键能不同。非晶硅锗膜通常比非晶硅
缺陷更多。膜中硅与锗原子并不是均匀合分布的。氢化时，氢择忧与硅键合。克服这些困难的关键是，采用氢稀释沉积法和掺氟。些材料的光电子特性可以做得很好。但氢含量通常偏高，材料的光致衰退依然存在。叠层构在一定程度上抑制了它对电池性能的影响。

单位：　　韩国产业资源部、科学技术部、环境部、韩国电力公社、韩国煤气公社、韩国地域暖房公社、韩国水利原子力（株）、韩国中部发展（株）、韩国经济研究院、韩国能源技术研究院、韩国新能源、可再生能源协会、节能