原子
要达到世界能源需求的程度几乎是不可能的。因此，NREL的科学家们还是关注于普通的硅材料。该技术的奥妙在于科学家们将硅制成了纳米晶体。当晶体尺寸接近原子级尺寸时，电子等原子级以下微粒的特征将发生根本性的
太阳能（solar energy） 【简介】 一般指太阳光的辐射能量。在太阳内部进行的由“氢”聚变成“氦”的原子核反应，不停地释放出巨大的能量，并不断向宇宙空间辐射能量，这种能量就是
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料
元素的原子核发生链式裂变核反应时释放出的巨大能量。核裂变能能量密度高，一个铀原子核裂变时释放出的能量约是一个碳原子氧化时放出能量的5×107倍，即1kg 235U裂变
受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子 Alignment Precision - Displacement of patterns
具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属Ni与a-Si在界面处形成NiSi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-Si原子在
界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，NiSi2层破坏，Ni原子逐渐向a-Si层的底层迁移，再形成NiSi2硅化物，如此反复直a-Si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在10小时左右，退火时间
没有统一的温度，就只有所谓的电子温度和离子温度。此时电子的温度可达104℃，而分子、原子、离子的温度却只有25～300℃。所以，从宏观上来看，这种等离子的温度不高，但其内部电子却处于高能状态，具有较高的
现状和发展预测太阳电池是利用材料的光生伏打效应直接将太阳能变成电能的半导体器件，也称光伏电池。1954年，第一块实用的硅太阳电池(η＝6％)与第一座原子能发电站同时在美国诞生，1959 年太阳电池进入
硅片表明，外加磁场减少了由热对流引起的生长条纹，用本方法生长的晶体，氧浓度为1x10"原子/厘米”，比常规 CZ硅的氧浓度降低了一个数量级。高阻MCZ硅单晶的径向电阻率不均匀性比FZ硅单晶的低。例如
柑涡的旋转条件，生长晶体的氧浓度可控制在2 x 10的17次方至10的18次方原子/厘米的3次方”范围内。
cZ法生长的。常规cZ法生长的晶体中，氧主要来自石英钳锅，其浓度变化范围介于4.0 x 10'0与2.0 x 10`8原子/厘米”之间〔3,4)，随晶体生长的各种参数而变，其浓度上限接近于硅熔点时的饱和
，滑移得以延迟。通过沉淀氧化物和伴生位错网络，氧原子间接吸除易动性杂质;‘从有害方面来说，如果氧化物沉淀起因于初始氧浓度高的话，则通过硅一氧复合体产生施主，形成堆垛层错，并使片子翘曲。要是保持氧浓度
