印刷式

阳光能源宣布，旗下附属公司近期再将150兆瓦原有产能更换为FPC组件封装产线，以生产面向高端市场的单晶N型交指式背电极太阳电池(IBC电池)的BlackSolar(BS)组件。 公司指出，单晶N
规格与要求，以进行后续产品设计与生产(Original Design Manufacture或ODM)。目前全球夏普品牌的光伏组件几乎皆由阳光能源代工。 高端N型光伏组件的技术中，交指式背电极

整治要求，实行拉网式排查和清单式、台账式、网格化管理。按照先停后治的原则，实施分类处置。列入淘汰类的，基本做到两断三清(切断工业用水、用电，清除原料、产品、生产设备);列入整合搬迁类的，要按照发展规模化

(化学式 Cu 工 nGaSe2)是薄膜电池的核心材料，属于正方晶系黄铜矿。 具有复式晶格 ，晶格常数 a=0.577nm， 作为直接带隙半导 c=1.154nm。 体，其光吸收系数高达 105 量
丝网印刷法等。 现在研究最广泛、 制备出电池效率比较高的是共蒸发和溅射后硒化法，被产业界广泛采用。后几种属于非 真空方法，实际利用还有很多技术问题要克服，下面分别论述。 2.1 几种非真空方法

，且电价及补贴再次下调。CPIA最新数据显示，2018年1~7月份光伏累计新增装机31.27GW，其中分布式约15.4GW，地面电站约15.9GW，预计全年新增装机40GW左右，同比降幅达到25%左右
，大容量逆变器价格比普通逆变器略低，可以使初始成本减少约0.2元/W。 3 双面电池组件 红外光可穿透降低工作温度，双面受光可垂直安装 双面电池背面采用铝浆印刷与正面类似的细栅格，背面由全

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
和氮气两种不同环境中、不同退火时间内在PECVD管内完成退火工艺。测试其退火热处理前后载流子少子寿命，并观察其对丝网印刷效率等工艺参数的影响。 2.1实验原料及仪器 实验所选硅片导电类型为P型

; 5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08; 6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m; 7) 印刷电极; 8) 高温烧结; 9) 测试分选
。 开路电压 由图2 可知，在0.2～4 cm 的电阻率范围内，随着硅片电阻率的增加，相应太阳电池的开路电压会随之减少。太阳电池的开路电压Voc 为： 式中，I0 为太阳电池反向饱和电流

设备、清洗设备、检测设备、其他相关设备 电池生产设备： 全套生产线、蚀刻设备、清洗设备、扩散炉、覆膜设备/沉积炉、丝网印刷 机、其他炉设备、测试仪和分选机、其他相关设备 电池板/组件生产设备： 全套
风能互补发电系统、光伏输配电器材、光伏模块及组件与设备、槽式线聚焦系统、塔式系统、碟式系统、集热管、储热设备及相应材料、热交换技术及产品、高温热传输技术及产品、系统控制 C. 太阳能制冷系统及设备