单晶PERC技术

单晶PERC技术,索比光伏网为您提供单晶PERC技术相关内容,让您快速了解单晶PERC技术最新资讯信息。关于单晶PERC技术更多相关信息,可关注索比光伏网。

易成新能连续关联交易意欲何为?来源:中国能源报 发布时间:2019-11-06 08:51:42

自主知识产权的电镀金刚线、锂离子电池负极材料生产工艺和世界技术先进的PERC高效单晶硅电池生产线。其中PERC高效单晶硅电池、锂离子电池负极材料产能位居国内前列,同时在河南、新疆、内蒙古等地建设投运

2019中国最高太阳电池转换效率发布来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2019-11-05 14:11:05

效率。继PERC电池之后,我国HIT电池和TOPCon电池技术发展迅速,汉能创造了HIT电池24.85%的中国最高效率,天合创造了24.58% N型单晶硅TOPCon电池中国最高效率。这四种
转换效率的世界纪录。 我国晶体硅太阳电池最高效率取得了突破性进展。阿特斯创造了多晶硅PERC电池22.8%中国最高效率,也创造了世界多晶硅电池的效率纪录。隆基创造了单晶PERC电池24.03%的中国最高

第二届非晶硅/晶体硅异质结(HAC)光伏技术发展与 国产化道路论坛将于12月6-7日在江西南昌举行来源:索比光伏网 发布时间:2019-11-04 10:25:52

!能源属性要求廉价、可靠、长寿、安全。今天的晶硅光伏技术基本能够满足这样的属性,常规多晶硅、单晶硅和 PERC 光伏技术均已各据其位。HAC 光伏技术能否有机会位列其中?能否在未来成为光伏能源主导

三峡新能源江苏泗洪领跑者光伏电站工程EPC总承包招标公告来源:三峡国际招标有限责任公司 发布时间:2019-11-04 09:16:26

驻场并解决现场施工出现的与设计相关的技术问题等现场服务工作等。 (2)光伏方阵区、35kV集电线路、220kV升压站生活区的全部设备和材料,包括:光伏支架、逆变器、直流柜;35kV箱式变压器;PERC
包括光伏方阵区、35kV集电电缆线路及220kV升压站生活区的勘察设计;初步设计阶段包括但不限于光伏区和220kV升压站生活区1:500地形图测绘、地勘、初步设计报告(含审查)、设备技术规范书、材料

三季度净利润增长超90% 爱旭科技进击资本市场的“智造密码”来源:中国经营网 发布时间:2019-11-04 08:54:08

升级。 2016年,爱旭科技开始量产常规单晶太阳能电池,并于当年实现晶硅太阳能电池年产量突破1GW.2017年公司进行了更大的技术创新,新创管式PECVD技术生产PERC电池,解决了管式PECVD工艺

三峡新能源泗洪领跑者EPC招标,11月21日投标截止!来源:智汇光伏 发布时间:2019-11-03 08:02:12

:光伏支架、逆变器、直流柜;35kV 箱式变压器;PERC 单晶430Wp 及以上组件;汇流箱,通讯柜,电缆、电缆头等设备和材料;接地相关设备和材料;视频监控及站区采集数据所需的相关设备、35kV、电缆
、初步设计报告(含审查)、设备技术规范书、材料清单、工程量清单等;施工图设计阶段包括但不限于地勘、设计、计算书、采购设备图纸文件、竣工图编制;完成相关部门施工图审查工作;编制安全设施设计专篇、职业

国企潞安革新归来!抢位光伏制造全国前三来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2019-10-31 19:41:47

1GW的多晶电池生产线,但市场上多晶整体销售疲软,升级技术势在必行。我们当时考虑了多种技术路线,后来最终选择了2GW高效单晶PERC电池项目,虽然转换效率不是最高的,却是当下及未来3~5年最具性价比的可

领跑者+渔光互补,EPC中标价格仅有3.344元​/W!来源:光伏們 发布时间:2019-10-31 09:06:22

招标公告,该项目批复交流侧容量94.5MWp,按照容配比1:1.1577进行投标、设计、报价,超配后109.40832MWp。本项目拟采用以下方案: 1)组件采用不低于双面双玻单晶(PERC) 425W
领跑者项目因为其技术要求高,项目初始投资偏高; 渔光互补项目,因为基础造价高,会导致初始投资明显高于普通项目。 然而,近日开标的领跑者+渔光互补项目中,EPC中标价格仅有3.344元/W

“转换效率之王”,实力央企领衔下一代光伏高效技术来源:PV-Tech 发布时间:2019-10-30 15:16:33

光伏市场对高功率组件产品需求愈加强烈,促使单晶硅高速发展,从而拉开了行业从多晶进入单晶时代的序幕。 众所周知,为确保光伏发电的竞争力,提效和降本一直是光伏人绕不开的两个话题。PERC技术是传统铝背场技术

多晶的成本+单晶的效率,阿特斯是这样做到的来源:索比光伏网 发布时间:2019-10-30 11:46:07

技术大幅度提升之外,P5的组件每瓦成本也有了大幅度的降低,这使得P5的LCOE相对P4多晶和单晶PERC更具竞争力。同时,P5组件具有抗LID、抗LeTiD的优势,其应用的MCCE黑硅技术对硅片表面