单晶硅铸锭

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天龙光电高点扩建 业绩断崖式下降来源:投资者报 发布时间:2013-11-04 07:44:09

。 三季报数据显示,年产1200台单晶硅生长炉项目根据招股说明书所预计的年税后利润总额为5165.1万元,而2013年前三季度实际实现税后利润总额-1420.45万元;年产150台多晶硅铸锭炉项目所
进一步减值。   转型面临挑战 在如此情况下,公司不得不谋求转型。 去年公司变更募投项目年产150 台多晶硅铸锭炉为年产50万km树脂金刚线的项目,上半年金刚线已实现量产,并有部分收入

光伏再获政策利好新政 10股底部崛起来源:中国证券网 发布时间:2013-10-23 11:31:14

,占据了光伏电池80%的市场份额,其转化率将以每年0.5-1%的水平增加,制造成本则以5-10%的速率稳步下降。作为逐步向规模驱动阶段过度的行业,制造性技术显得尤为重要,从铸锭到电池组件的垂直一体化是
崛起   历史性大单,见证国内光伏设备龙头崛起 公司25日公告,于当日与江苏协鑫硅材料科技发展有限公司签约,拟于明年6月30日前,提供150台(套)多晶硅铸锭炉,供其铸锭项目扩产所需。合同

京运通:宁夏30MW光伏电站今年贡献2200万元来源: 发布时间:2013-10-19 09:03:59

在并网发电上仍存有一定的技术难点,但在政府明确执行年限和补贴价格后,光伏发电将成为京运通未来现金流的重要来源。京运通主营业务为单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉等光伏设备,以及硅棒、硅锭和硅片等光伏产品。

第二届英利技术创新博览会开幕来源:保定高新区网站 发布时间:2013-10-10 14:56:31

全员创新。 新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;一种清洗边皮料的工装篮,以公司当前产能计算,每年可节约材料费用三千万
。集团首席技术官宋登元博士说,在全员创新理念的带动下,公司以熊猫命名的单晶硅高效太阳能电池生产线平均光电转换效率已经达到19.5%,而成本却比同类企业降低了30%。此次展出的700多个创新成果只是公司

勇立潮头歌大风:英利集团第二届技术创新博览会召开来源:solarbe 发布时间:2013-09-29 08:49:59

0.03-0.05元;单晶炉二次加料,年节约成本超过1000万元;新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;改善晶棒尾部切斜方法,每台
%;2013年草根创新活动已推出621项成果,进一步推动成本降低;以藏羚羊命名的类单晶硅制备技术是制造低成本、高效率晶体硅太阳能电池的关键技术已获重大突破,申请了5项国家专利。这是英利继推出熊猫N型单晶硅

英利:精打细算过出大好日子来源:经济日报 发布时间:2013-09-29 07:32:21

命名的类单晶硅制备技术是制造低成本、高效率晶体硅太阳能电池的关键技术,目前该项技术已获重大突破,申请了5项国家专利。这是英利继推出熊猫N型单晶硅高效电池之后的又一力作。 从上游硅原料到铸锭、切片

李振国:单晶硅的成本下降之路来源: 发布时间:2013-09-18 10:47:33

一个趋势。第二个问题,我介绍一下单多晶技术路线的成本分析。在这个产业链上来来说,第一个环节是我们所使用的硅料来说,总产出的80%原料是适合去做单晶硅的,但确实也有20%的原料,靠近探头的,或者过于疏松的
,还有尺寸太小的,这些原料在拉单晶的时候,它的适应性不是那么强,可能会导致拉单晶成本的迅速上升。同时,单晶硅棒所生产的过程当中,也会产生碎片料、尾料等,在用于单晶生产的时候品质下降和成品率的下降,用在

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于
16 和 18PPMA;单晶硅3片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于 10 和 18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于 16%和 17

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品 的要求; 2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
18PPMA;单晶硅 2 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10 和 18PPMA; 3.多晶硅电池和

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16 和18PPMA;单晶硅片少子寿命
大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10 和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5