单晶硅铸锭

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工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA;单晶硅3 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10
和 18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.

晶盛机电获财政奖励426万元来源:巨灵信息 发布时间:2013-09-16 13:13:02

点评】: 公司目前是国内晶体硅生长设备领先企业,主要产品包括全自动单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉及单晶硅生长炉控制系统,受光伏行业低迷影响,公司在2011年以后主营业务收入与业绩大降,本次获得的补贴

精功科技关于签署多晶硅铸锭炉租赁合同的公告来源: 发布时间:2013-09-12 09:37:48

JJL800C多晶硅铸锭炉出租给江苏协鑫,租期5年,五年总租金为人民币9,400.00万元。二、交易对方情况介绍根据江苏省徐州工商行政管理局2013年7月16日核发的企业法人营业执照(注册号
经济开发区坡里路东、黄石路南;法定代表人:舒桦。经营范围:多晶硅锭、单晶硅棒、太阳能级及电子级多晶硅片、单晶硅片、太阳能级电池及组件的研究、生产、销售,太阳能、电子产业有关的工程咨询、项目开发;各类商品和技术

太阳能电池转换效率排行一览来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-09-10 23:35:25

水平。 我们熟知的晶硅电池分为单晶和多晶,区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成,多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅

2013年上半年光伏企业财报汇总——硅片电池组件篇来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-09-10 09:17:57

工艺优化,实现了砂浆回收处理系统全闭环处理以及电池片印刷网版的自制。同时通过工艺优化,提高了多晶铸锭的合格率;在非晶硅太阳电池和光伏玻璃领域,大尺寸非晶硅太阳电池生产设备安装完成,进入试生产阶段;超白
2013年上半年光伏行业过剩产能的淘汰整合初见成效。虽然2013年上半年产品(折标准片计算)与去年同期相比销售价格下降了26%,但公司以量补价,2013年上半年单晶硅片销量(不含受托加工)比上年同期增长

2013年上半年光伏企业财报汇总——设备篇来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-09-09 14:02:17

上半年没有对本公司产品进行采购,不会对公司产生重大影响。 京运通 国内光伏行业尤其是光伏设备行业仍然处于低谷,公司主要产品单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉销量萎缩,而硅片业务亦处于不景气
验证。 2013年上半年,公司完成了晶硅太阳能电池25MW半自动生产线的工艺调试,单晶硅电池片的效率指标已按目标要求完成。同时,25MW全自动生产线已初步完成工艺调试

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司荣获江苏省科技成果转化专项资金来源:世纪新能源网 发布时间:2013-09-08 23:59:59

索比光伏网讯:日前,由江苏协鑫硅材料科技发展有限公司申报的省重大成果转化项目 高性能低成本N型光伏准单晶硅锭、硅片先进制备技术开发与产业化,通过江苏省政府严格的专业评审、综合评审、现场考察、厅长
铸锭炉改造、热场设计、配料工艺、长晶技术、切片技术到产品检验的一体化生产整体解决方案的先进技术。该项目产品N型准单晶相比P型晶硅产品更具高效率、低成本、长寿命等特点。预计在项目实施后三年内,江苏鑫

凭优势、抓机遇、谋突围 云南光伏产业越冬来源: 发布时间:2013-09-05 10:01:02

生产线,投资超过了8亿元。这些设备中,单晶硅铸锭炉的能耗比传统设备降低了8倍。一个民营企业逆势投资本就让人问号连连,而他的大手笔投资却放在了云南的一个小县城边,其原因何在?夏天的回答直指根本:云南有
还有一批云南企业家,云南三奇光电科技有限公司董事长夏天就是其中一个。这位眼光独到的企业家在去年光伏严冬中却不惜重金购入光电产品的高端设备,把单晶硅硅棒的生产能力扩充到5000吨/每年,年切硅片将达到

光伏制造行业规范条件(深入解读)来源: 发布时间:2013-09-04 10:16:59

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其

工信部《光伏制造行业规范条件》延伸阅读来源: 发布时间:2013-09-04 09:44:37

要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA
;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe