单晶硅炉

单晶硅炉,索比光伏网为您提供单晶硅炉相关内容,让您快速了解单晶硅炉最新资讯信息。关于单晶硅炉更多相关信息,可关注索比光伏网。

增值税减半政策出 重振光伏业信号来源: 发布时间:2013-10-15 09:56:59

。这也是从50%退税政策中受益的第二类公司。此外,尽管在当前的硅片中多晶硅仍然占主流,但是从转换率及成本的下降空间看,单晶硅的市场占有率会逐渐提升,因此从事单晶硅生长炉的龙头企业也将直接受益。杨颖影

第二届英利技术创新博览会开幕来源:保定高新区网站 发布时间:2013-10-10 14:56:31

全员创新。 新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;一种清洗边皮料的工装篮,以公司当前产能计算,每年可节约材料费用三千万
设计并改进二次加料装置。通过该装置可实现多次投料。目前已成功将单炉总投料量由120公斤拉制一根单晶棒提升至250公斤拉制两根单晶棒。所产晶棒均满足高效N型单晶电池的要求,年节约成本超过1000万元

中环股份:具备实现低成本光伏发电能力来源: 发布时间:2013-10-09 09:46:59

。假设增发CFZ硅片项目可按期释放产能,预计将增厚2015年EPS36%,上调目标价至30元。中环股份公司CFZ项目可支持下一代高效聚光发电系统。公司与晶盛机电合作研发CFZ单晶炉和区熔炉,实现国产化
制造后可有效降低CFZ的生产成本(与目前的CZ法持平)。CFZ单晶硅片可应用于转换效率高达24~26%的Sunpower下一代高效电池和C9/10聚光系统,基于公司与Sunpower在聚光高效发电系统

中环股份:强强联合 具备实现低成本光伏发电能力来源:国泰君安证券 发布时间:2013-10-09 08:54:10

增持评级。假设增发CFZ硅片项目可按期释放产能,预计将增厚2015年EPS36%,上调目标价至30元。 中环股份公司CFZ项目可支持下一代高效聚光发电系统。公司与晶盛机电合作研发CFZ单晶炉和区
熔炉,实现国产化制造后可有效降低CFZ的生产成本(与目前的CZ法持平)。CFZ单晶硅片可应用于转换效率高达24~26%的Sunpower下一代高效电池和C9/10聚光系统,基于公司与Sunpower在

光伏发电减税50% 利好电站及高效晶硅企业来源:每日经济新闻 发布时间:2013-10-08 09:02:05

隆基股份、中环股份。 此外,尽管在当前的硅片中多晶硅仍然占主流,但是从转换率及成本的下降空间看,单晶硅的市场占有率会逐渐提升,因此从事单晶硅生长炉龙头晶盛机电(300316)也将直接受益。
建设中,无疑将直接拉动电站建设设备的需求。在太阳能电池组件环节,核心是太阳能硅片,硅片又包括单晶硅和多晶硅,这两大硅片国内都有不少的企业,那在接下来的电站建设中究竟用什么样的硅片呢? 未来高效单晶硅

光伏发电增值税10月起退50% 光伏股上演逆袭大戏来源: 发布时间:2013-10-08 08:50:59

。 下一页 A股方面,单晶硅生产企业中环股份、单晶硅生长炉晶盛机电等股价亦是蠢蠢欲动,此外,9月27日主营电站业务的中利科技大涨9.11%。而近期光伏概念股的强势,也有来自国际投行的消息,摩根大通

“股神”巴菲特效应显现 光伏反转进行时来源:每经网 发布时间:2013-09-30 07:08:54

单晶硅生产企业中环股份(002129,收盘价23.15元)、单晶硅生长炉晶盛机电(300316,收盘价16.81元)等股价亦是蠢蠢欲动,此外,27日主营电站业务的中利科技(002309,收盘价

勇立潮头歌大风:英利集团第二届技术创新博览会召开来源:solarbe 发布时间:2013-09-29 08:49:59

0.03-0.05元;单晶炉二次加料,年节约成本超过1000万元;新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;改善晶棒尾部切斜方法,每台
已成功将单炉总投料量由120公斤拉制一根单晶棒提升至250公斤拉制两根单晶棒。所产晶棒均满足高效N型单晶电池的要求,年节约成本超过1000万元。面对节约成本高达千万的成果,技术中心乔松表现得很谦虚,他

Schmid 整线解决方案使效率18%的多晶硅太阳能电池生产成为可能来源:solarbe 发布时间:2013-09-26 15:27:22

来自弗罗伊登斯塔特的报道:Schmid集团参照电池生产商的最新市场需求发展技术。随着5500系列APCVD传动式工艺炉的开发,一套为工业化量产高效率电池的成熟系统已经为一些特定应用领域准备就绪
%的Cz单晶硅PERC电池和18-18.5%的多晶硅PERC电池。 PERC电池横截面图示

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于
16 和 18PPMA;单晶硅3片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于 10 和 18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于 16%和 17