单晶硅晶体生长炉

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晶盛机电:受益光伏新政与专利获得来源: 发布时间:2013-07-19 11:22:03

20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%。有业内人士分析,《意见》中对光伏企业的条件可谓苛刻,一些具有领先技术优势的单项冠军企业或将大大收益。作为国内晶体生长设备制造的龙头企业,晶盛机电在单晶硅生长
和区熔单晶硅生长炉具有领先优势;同时,其生产的高效多晶硅铸锭炉产品,已与英利联合开发出高效多晶,多晶转换效率达到国内领先水平。

天龙光电经营性应收或存1.46亿元缺口来源: 发布时间:2013-07-01 08:49:54

,天龙光电大幅度回收应收账款,但公司在相关账目处理上却可能存在问题。重大重组短命快速扩张拖累上市公司天龙光电主营单晶硅晶体生长单晶硅切割机床、单晶硅切方滚圆机、多晶硅铸锭炉、单晶硅籽晶炉、钢球设备等产品的

晶盛机电研发8英寸单晶炉即将量产来源: 发布时间:2013-06-04 10:18:31

索比光伏网讯:自上周一开始,大宗交易平台连续出现两笔大幅折价抛售,晶盛机电近日的走势也不温不火。但公司今日的公告,则为投资者带来了稍许安慰:公司在多项单晶炉的研发项目上出现突破进展。今日公告显示
,近日公司研制的直拉区熔法(简称CFZ法)晶体新型专用单晶炉,与用户天津环欧取得重要进展。天津环欧在公司研制的CFZ法单晶炉上,使用其自有的工艺技术,成功拉制出多颗高效太阳能用晶体,比传统设备拉晶速度

太阳能硅有籽晶定向凝固过程中保存籽晶的控制来源: 发布时间:2013-04-16 10:15:03

/熔体界面和温度梯度的影响是至关重要的。有关优化晶体生长过程已进行了许多研究。采用瞬态3D数值模型,Delannoy等人研究过ECM炉内二种不同直径支架对凝固硅锭中热梯度和生长速率的影响
,由于mc-Si的结构缺陷(如晶界和高密度位错),mc-Si制造的太阳能电池在光电转换效率方面受到限制。为了克服mc-Si的缺点,提出用有籽晶DS技术生产低缺陷密度的准单晶硅。在此技术中,用单晶硅籽晶

晶龙单晶炉相关三项实用新型专利获授权来源: 发布时间:2013-04-03 09:25:34

了加热器消耗和等径功率,增加了晶体生长速度,节约了生产成本。一种改进排气口的单晶炉通过改进单晶炉排气口,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。一种用于单晶炉

晶龙集团单晶炉相关三项实用新型专利获授权来源:世纪新能源网 发布时间:2013-04-01 23:59:59

用于单晶炉的导流筒减少了石墨制成的导流筒本体与单晶原料接触的几率,有效控制了单晶硅碳含量超标的概率,使得单晶品质不断提升;另外,新装置加料完成后不用取出,直接进行拉晶工艺操作,节约了取出加料器所耗费的时间,避免了二次污染,保障了晶体生长环境,有效提高了单晶产出量和单晶品质。

晶盛机电研制的区熔炉生长出8英寸区熔硅单晶棒来源:人民网 发布时间:2013-03-27 14:05:12

晶盛机电与天津环欧联合承担并由晶盛机电研制的国家科技重大专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》之8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制课题的区熔硅单晶炉样机,结合天津环欧领先的晶体生长工艺,在天津环欧

晶龙:世界光伏产业领军者来源:河北日报 发布时间:2013-03-06 23:59:59

索比光伏网讯:晶龙集团是以生产太阳能光伏系列产品为主的民营企业、世界最大的单晶硅材料和晶体硅太阳能电池制造商。晶龙为国家的新能源、新材料建设作出了巨大贡献,成为国家火炬计划太阳能硅材料产业基地。晶龙
的跨越发展,从一个名不见经传仅有3台单晶炉、十几个人的作坊式小厂,发展成为拥有32家控股和全资子公司、员工三万余名的企业集团,目前已经成为独具特色的科技型强企。七大生产研发基地 支撑起晶龙科技脊梁

极特先进:现在正是投资未来的最好时机来源: 发布时间:2013-02-26 10:37:40

。当然,使用DSS多晶硅铸锭炉生产硅锭的方式还会持续很长一段时间,但也会出现不同类型的晶体生长技术,推动光伏行业未来的发展。我们认为HiCz能满足未来的行业要求。最后,目前还有一个市场现实影响了我们对
索比光伏网讯:去年年底,媒体爆出全球领先的光伏设备制造商美国极特先进科技公司(GTAdvancedTechnologiesInc.以下简称GT)将退出铸锭炉(DSS)市场,在业内引起了不小的震动

航天机电:卖掉神舟硅业之后再卖中环光伏来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-01-11 08:50:59

太阳能电池用硅单晶材料产业化工程项目建设,项目将利用环欧公司在单晶硅、硅片的制造方面的技术优势,借助航天机电下属企业神舟硅业多晶硅产品的配套优势,建设一条完整的从晶体生长到硅片加工的直拉太阳能硅片生产线。该项
项目总投资5.126亿元,建筑面积37,074平方米,新增工艺设备247台套,其中主要工艺设备直拉单晶炉72台,设定晶体产能110MW/年,晶片加工产能50MW/年。一期项目于2009年3月26日开工