单晶硅太阳电池

激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻，研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响，分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后，激光
掺杂选择性发射极太阳电池的转换效率相比传统太阳电池有0.24%的提升。 引言 提高太阳电池的光电转换效率是提高行业竞争力的重要途径。发射极掺杂浓度对太阳电池转换效率的影响是双重的，采用高浓度的掺杂

太阳电池研究的难点之一 ，制造出大小均匀、粗糙度较好和反射率较低的绒面，可有效提高太阳电池的光电转换效率。 硅晶体表面制绒剂的研究现状11.1 单晶硅表面制绒剂的研究现状 国外科学家对制绒剂的

有效抑制了直拉工艺中大量氧进入硅晶体的固有缺陷，而且彻底解决了P型(掺硼)太阳电池的光衰减现象。区熔单晶硅主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但由于其生产成本较高，迫使一些公司对区熔单晶硅工艺进行

降本提效是光伏从业者孜孜不倦的追求。在硅片端，金刚线切片技术已展现出很大的优势。单晶硅片凭借金刚线切割技术的大规模应用，制造成本大幅降低，多晶市场由此受到挤压，使得多晶硅片降本压力进一步增大
伏科技有限公司，携手发展湿法黑硅技术。2017年，苏美达辉伦自主研发的黑硅电池片新工艺《一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法》获得了发明专利，该多晶硅倒金字塔陷光结构可降低表面复合，使得太阳电池具备更高

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
电致发光原理对组件进行缺陷检测。EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)、电流密度成正比，太阳电池中有缺陷的地方，少子扩散长度较低，从而显示出来的图像亮度较暗。电池制造过程，一般包括制绒、扩散

0 引言 为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低生产成本，此前已有诸多研究，20世纪80年代，澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池，打破了当时晶体硅太阳电池
转换效率的记录，也是目前唯一产业化的高效太阳电池技术。PERC电池在常规电池基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应

1. 晶体硅太阳电池的钝化技术(图片来源Taiyang News 2017) (3)提高内建电场强度 通过匹配不同禁带宽度的材料，制造异质结电池，提高内建电场强度，提升开路电压、拓展光谱响应范围
，实现晶体硅太阳电池的效率提升。 图2. 针对性的高效路线(照片来源网络) 对应地，现阶段电池的提高电池转换效率也有三条主线组成，如图2： (1)金属电极优化，提高入射光的利用率，可制备

全国单体较大的光伏发电扶贫项目之一。 山西省 晋能光伏技术有限责任公司晋中2000兆瓦异质结高效单晶电池和组件项目 集团晋中2000兆瓦异质结晶硅高效电池及组件项目，采用了国际上最前沿的n型单晶硅
薄膜太阳能电池300MW。铜铟镓硒薄膜太阳电池具有污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点，光电转换效率居各种薄膜太阳电池之首，被称为下一代非常有前途的新型薄膜太阳电池，是近几年研究开发的热点，具有广阔的

p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷过程中
缺陷检测。EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)、电流密度成正比，太阳电池中有缺陷的地方，少子扩散长度较低，从而显示出来的图像亮度较暗。电池制造过程，一般包括制绒、扩散、刻蚀、PECVD

激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻，研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响，分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后，激光
掺杂选择性发射极太阳电池的转换效率相比传统太阳电池有0.24%的提升。 引言 提高太阳电池的光电转换效率是提高行业竞争力的重要途径。发射极掺杂浓度对太阳电池转换效率的影响是双重的，采用高浓度的掺杂