/kg;□ 硅片出口额约为12亿美元,主要出口至中国台湾、韩国和马来西亚;□ 多晶硅片出口主要集中在协鑫、赛维LDK、宇骏等几家企业,单晶硅片出口主要集中在隆基、中环、卡姆丹克;电池片◇ 上半年产量约为
,几乎是2014年的10倍)。因此需通过增加风电和光伏来实现,需增加800GW。2015年上半年光伏产业发展情况ˉ 多晶硅产量约为7.4万吨,同比增长15.6%;硅片和电池片产量分别为43亿片和
半导体有限公司与中科院合作成功研发6英寸碳化硅衬底,并形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线,该企业一度是中国唯一一家碳化硅半导体材料生产企业。然而,材料科技的短板不仅是体现在技术上,更体现在产量上
。虽然相比较下技术上有所差距,但观察者网了解到,山东天岳的新生产线将达到年产40-50万片4英寸碳化硅衬底的程度,这样巨大的规模,可能意味着我国碳化硅产品的成本降低,在产量上获得飞跃。
众所周知
于硅单晶的生长,这种拉晶技术已经成为现代生产高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。
然而
在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅,多晶铸锭应运而生,然而它的晶体结构始终是无数
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅,多晶铸锭应运而生,然而它的晶体结构始终是无数
市场驱动影响,我国光伏产业规模持续扩大,行业发展总体趋好。多晶硅产能15.8万吨,产量13.6万吨,同比增长58%,全球占比44.7%,连续四年位居全球首位;硅片产能50.4GW,产量38GW,同比
增长28%,全球占比76%。电池片产能47GW,产量33GW,同比增长32%,全球占比为59%;组件产能63GW,产量达到35.6GW,同比增长30%,全球占比70%,我国连续8年位居全球光伏
产能利用率逐步提升,预计我国多晶硅产量将达到14万吨,产品价格维持在22美元/kg,企业仍将承受低价压力。在电池组件方面,随着光伏行业的整体好转以及由于组件价格下降使得光伏发电成本不断逼近平价上网,预计
我国光伏组件产量有望超过35GW。
产业集中度将进一步提高。在2011~2012年光伏行业发展低迷时,中小企业相继停产,但龙头企业却在保持生产的同时依然通过研发技改提升技术能力
中国证监会相关格式准则在披露年度报告、半年度报告时,应当同时按照下列要求履行信息披露义务:
(一)按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜等)披露报告期内所销售
产品的销售量、销售收入、销售毛利率;
(二)按技术类别披露报告期内所销售产品的产能、产量、在建和计划建设产能。
第七条
上市公司从事电池组件、逆变器等产品的
按照按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜等)披露报告期内所销售产品的销售量、销售收入、销售毛利率;以及按技术类别披露报告期内所销售产品的产能、产量、在建和计划建设产能。而
,并重点讨论与分析指标变化的原因及其对公司当期和未来经营业绩的影响情况。指引还要求,在披露年度报告、半年度报告时,上市公司应当同时按照按技术类别(如单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜等
)披露报告期内所销售产品的销售量、销售收入、销售毛利率;以及按技术类别披露报告期内所销售产品的产能、产量、在建和计划建设产能。而针对电池组件、逆变器等产品,则应当在定期报告中披露主要收入来源国(销售收入