单晶坩埚

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庄大明:CIGS薄膜技术的关键何在?来源: 发布时间:2015-09-10 00:07:59

做一个排布。先看后面底下的红框的,像砷化镓这样的电池,我们称之为皇帝的女儿,一般民用不太可能的,都是在军工领域,也可以不计成本,只要性能高就可以。它之所以贵,是因为砷化镓电池必须做成单晶的效果,如果多晶的
上面,你不能预测不行。但是,其实我觉得科学应该做这个事情,有些路是不通的。它稳定性太差,遇到水,遇到热就不行了,或者见阳光死。量子性太阳能电池太遥远了。上面三个层次,一个是规系的,多晶硅,单晶硅的

镇江市发布“金屋顶”企业计划项目建设服务指南来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-23 23:59:59

:分布式光伏并网发电系统主要由光伏组件、逆变器、支架和线缆、汇流箱、交直流配电柜及监控系统等组成。其中汇流箱、交直流配电柜及监控系统可根据用户的实际情况安装。太阳能光伏产业链:冶金硅粉高纯度多晶硅单晶
高学潮18305828696 江苏润驰太阳能材料科技有限公司 坩埚

太阳能多晶硅通往完美之路来源: 发布时间:2015-06-18 08:18:59

99.99999999%(一二九)的原料的纯度降低至99.9999%(六九)。此外,由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子,而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此
单晶或多晶硅片中的杂质浓度通常会将材料的纯度降至五个九的级别。因此,纯度并不一定是一项相关质量标准。那为什么要去使用昂贵的高纯度原料呢?在2007-2009年之间欧洲出现的安装潮期间,原料制造商和

用于太阳能光伏产品中的硅——通往完美之路来源:pv-tech 发布时间:2015-06-18 07:55:03

,由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子,而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此,单晶或多晶硅片中的杂质浓度通常会将材料的纯度降至五个九的级别。因此,纯度并不一定

用于太阳能产品中的硅——通往完美之路来源:PV-TECH 发布时间:2015-06-16 23:59:59

或磷来进行。这一工艺的结果就是将纯度高达99.99999999%(一二九)的原料的纯度降低至99.9999%(六九)。此外,由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子,而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有
的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此,单晶或多晶硅片中的杂质浓度通常会将材料的纯度降至五个九的级别。因此,纯度并不一定是一项相关质量标准。那为什么要去使用昂贵的高纯度原料呢?在2007-2009年之间

电池片制作工艺对硅片中同心圆的影响来源:SOLARZOOM光伏亿家 发布时间:2015-06-01 15:01:19

上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中,将半导体级多晶硅熔融,同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。 半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
,它是砂子的主要成分。工业上使用石英岩生产冶金级硅。用于太阳能电池以及其他半导体器件的硅,其纯度级比冶金级更高。而对于半导体电子工业来说,硅不仅要很纯,而且必须是晶体结构中基本上没有缺陷的单晶形式。工业

N++重掺磷硅单晶的拉制工艺来源:solarzoom 发布时间:2015-05-20 10:26:05

,赤磷在常压下的升华温度为41摄氏度,而硅单晶拉制时温度在142摄氏度以上,且在负压下进行。若在冷炉装料时或当硅料熔化后将固态赤磷投放入石英坩埚中,赤磷必然会急速升华,可能会引起溅硅或爆炸等事故,更不
索比光伏网讯:众所周知,N型电池是制作高效太阳电池的未来之星,我们应大力开发研究和生产太阳电池级N型硅片,而拉制N型硅单晶需有N++重掺磷硅单晶(此时可称为母合金)来作为掺杂剂。拉制重掺需用高纯赤磷

光伏行业的新热场材料来源:太阳能发电杂志 发布时间:2015-05-13 07:33:55

单晶硅外,热场材料主要是高纯石墨和C/C复合材料,如坩埚、发热体、保温筒等,以保证单晶硅制品的纯度。 图1 大型拉制单晶硅炉的结构 2.2 C/C坩埚    拉制单晶

保利协鑫新技术平台首次发力 “鑫多晶S4”问世来源: 发布时间:2015-05-05 09:12:59

高纯坩埚的使用,有效解决了多晶硅片边缘的黑边及转换效率问题;通过对硅片尺寸的优化设计,适当增加硅片尺寸,有效地提高后端组件的输出功率;而全新的共掺杂技术的投入量产,则彻底解决多晶电池片的光衰问题,为后续
高端客户需求。自2011年11月发布首款高效硅片产品以来,保利协鑫一直稳定保持着每半年推出一个新产品的频率,已先后推出鑫单晶G1、G2,鑫多晶S1、S2、S3、S4等一系列高效产品。保利协鑫表示,鑫多晶S4的研制成功,将进一步提升公司在光伏市场的影响力、领导力。

保利协鑫“鑫多晶S4”问世 新技术平台首次发力来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-04-29 09:57:00

副总裁游达介绍,鑫多晶S4采用了全新的多晶技术平台:GCL新高效工艺高纯坩埚的使用,有效解决了多晶硅片边缘的黑边及转换效率问题;通过对硅片尺寸的优化设计,适当增加硅片尺寸,有效地提高后端组件的输出功率
先后推出鑫单晶G1、G2,鑫多晶S1、S2、S3、S4等一系列高效产品。鑫多晶S4的研制成功,将进一步提升保利协鑫在光伏市场的影响力、领导力。 出席保利协鑫鑫多晶S4发布会的主要客户有阿特斯