单多晶电池片

至8/31，但据中国业者持续追踪后，目前业界普遍认为此议题不会成真，整体产业需求较可能在6/30拉货结束后急冻。 多晶硅价格已进入高档盘整期，不过因为目前单多晶硅片厂商多还维持稼动率满载，使得
多晶硅需求仍高，预期未来虽会逐步跌价，但初期跌价应不明显，六月上旬价格维持RMB 145-148/kg区间盘整。 硅片部分，由于先前单多晶价格价差不明显，使得单晶大幅抢占市场，多晶硅片厂商备感威胁

并网截止日展延至8/31，但据中国业者持续追踪后，目前业界普遍认为此议题不会成真，整体产业需求较可能在6/30拉货结束后急冻。多晶硅价格已进入高档盘整期，不过因为目前单多晶硅片厂商多还维持稼动率满载
，使得多晶硅需求仍高，预期未来虽会逐步跌价，但初期跌价应不明显，六月上旬价格维持RMB145-148/kg区间盘整。硅片部分，由于先前单多晶价格价差不明显，使得单晶大幅抢占市场，多晶硅片厂商备感威胁，此次

并网截止日展延至8/31，但据中国业者持续追踪后，目前业界普遍认为此议题不会成真，整体产业需求较可能在6/30拉货结束后急冻。多晶硅价格已进入高档盘整期，不过因为目前单多晶硅片厂商多还维持稼动率满载
，使得多晶硅需求仍高，预期未来虽会逐步跌价，但初期跌价应不明显，六月上旬价格维持RMB 145-148/kg区间盘整。硅片部分，由于先前单多晶价格价差不明显，使得单晶大幅抢占市场，多晶硅片厂商备感威胁

并网截止日展延至8/31，但据中国业者持续追踪后，目前业界普遍认为此议题不会成真，整体产业需求较可能在6/30拉货结束后急冻。多晶硅价格已进入高档盘整期，不过因为目前单多晶硅片厂商多还维持稼动率满载
，使得多晶硅需求仍高，预期未来虽会逐步跌价，但初期跌价应不明显，六月上旬价格维持RMB 145-148/kg区间盘整。硅片部分，由于先前单多晶价格价差不明显，使得单晶大幅抢占市场，多晶硅片厂商备感威胁

燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的
之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅片端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。而RIE技术

元/瓦以内的价差，以实现系统端的投资持平。而对于组件厂商而言，到底选择多晶还是单晶，则取决于哪个毛利更高，关键点是单多晶硅片的价差。合理硅片价差，业内人士的基本判断是0.7元（计算逻辑，单多晶电池片瓦
3月29日，由中国电力企业联合会主办的第八届中国光伏四新展在北京隆重举行。各大电池组件、逆变器、电站投资商悉数参展，为准确把握行业趋势提供了绝佳的平台。针对近期比较受关注的单多晶之争，小编从此角度

具备单多晶生产能力，但我们不主推，主要是280瓦单晶在我们看来还不是最好的产品，可能要到290瓦才能比较具备技术优势，从我们日，欧，美的客户选择来看，他们也更愿意选择晶科270瓦的多晶。在技术发展和成本
方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们

单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带
进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。2、实验设计2.1、实验样品样品采集自晶澳电池产线，所用硅片厚度为200m，电阻率为1-3.cm的单晶和多晶电池片各20片，并且20片单晶电池片为

造成单多晶组件CTM差异性的原因。2、实验设计2.1、实验样品样品采集自晶澳电池产线，所用硅片厚度为200m，电阻率为1-3.cm的单晶和多晶电池片各20片，并且20片单晶电池片为同一个功率档位，20