半片PERC

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厉害 | 中国用5年时间,将光伏发电做到全球第一,美日彻底服了中国人来源:365光伏 发布时间:2018-05-11 16:49:21

铝合金支架材料节约20%。 电池组件 晶科能源:独家量产半片PERC主流功率破330W,高效率、低成本光伏组件的领跑者; 赛拉弗:黑硅+PERC+叠瓦技术的多晶标准组件功率高达360瓦,高效切片叠瓦

隆基乐叶副总裁吕俊博士入选国家科技奖励专家库来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-10 10:22:13

,隆基乐叶再次宣布,经权威检测机构TV南德(TV-SD)实验室测试验证,隆基乐叶60型单晶PERC半片组件功率突破360W,刷新世界纪录,成为目前全球60型PERC半片组件最高功率。 仅2018年

能源结构正在转型 光伏“平价”唾手可得来源:PV兔子 发布时间:2018-05-09 10:35:01

。 领跑者项目中标电价和当地火电电价比较 1.2.4、 单晶双面技术路线已经成为主流技术路线 在 8 大光伏应用领跑者基地中标企业、38 个项目招标中,共计 54 次申报双面技术。其中,单晶 PERC
最高,共计 19 个;次之单晶 PERC 双面,共计 10 个项目申报;再者为 N 型单晶双面、单晶 PERC 双面双玻,分别有 7 个项目中申报。此外,MWT 多晶技术,在本批次 8 个基地

能让光伏组件功率提高3%-7%?这家企业要彻底取代传统光伏串焊技术来源:能见Eknower 发布时间:2018-05-08 09:12:32

方案,主要有双面技术、PERC技术、半片技术、MWT、TOPCON等,均是主要在电池片技术方面寻求突破;而在组件环节,虽然近两年也出现了一些比较热捧的技术,如叠片、MBB技术等,但都是基于较早期的
,此项技术只需组件生产线更换常规串焊机,电池端只需改变网版图形和电池分选方案。在同等效率提升情况下,相比于PERC技术动辄2-3千万投入,SEMI无疑性价比更高。 瞩日科技的SEMI技术在众多的高效技术

上海太阳能学会理事长沈文忠:高效电池与屋顶分布式光伏的结合来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-04 18:59:59

的效率要求分别提升到了17%和17.8%以上,技术领跑基地相应对效率的要求更是达到了18%和18.9%以上。在此情况下,PERC、N型、HJT、IBC等电池技术迅速发展,双面、双玻等新型组件也层出不穷
都能适应。 由于应用场景的差异性,一种在地面电站表现良好的组件并不意味着它也适合分布式光伏电站。比如双面组件适合地面反射性强的场景,半片组件适合有阴影遮挡的场景,双玻组件适合于自然环境较为恶劣的场景

单晶VS多晶:谁会在2018年胜出?来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-04 18:59:59

组件功率会按照每年20W的速度在提升。 预计到2018年,单晶半片perc标准组件功率普遍可以做到315W,而且从产能布局来看,这样的超高功率的组件供应量还不少,预计perc电池产能在2017农历年

隆基股份连续刷新世界纪录的背后:持续加大研发投入来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-04 09:37:37

日前,隆基乐叶宣布经权威检测机构TV南德(TV-SD)实验室测试,其60型单晶PERC半片组件功率突破360W,刷新世界纪录。一石激起千层浪,这已经是隆基乐叶在2018年第二次在PERC组件技术
型单晶PERC半片组件功率突破360W,让隆基乐叶成为PERC组件功率和转换效率双料世界记录的缔造者。 隆基的逻辑 企业加大研发投入,不仅仅推动了技术创新,更带动了主营业务增长,为企业发展找到持续

【官方解读】六问智能光伏行动计划来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-03 18:39:59

PERC、N型等电池技术以及半片、MBB、双玻双面等组件技术快速产业化。 三是应用市场快速成长。2017年,我国光伏发电新增装机达到53.06GW,占全国电源新增发电的装机39%,连续5年光

工信部解读《智能光伏产业发展行动计划(2018-2020年)》来源:工信部 发布时间:2018-05-03 15:48:17

PERC、N型等电池技术以及半片、MBB、双玻双面等组件技术快速产业化。 三是应用市场快速成长。2017年,我国光伏发电新增装机达到53.06GW,占全国电源新增发电的装机39%,连续5年光

集中式、组串式逆变器 加码2018新技术迭代来源:弘扬太阳能 发布时间:2018-05-02 10:43:51

2017年,是组件技术的集中爆发之年,之前,我们只听说单晶硅、多晶硅;现在,市场涌现一大堆新名词:PERC半片、MBB、MWT、叠瓦、双面发电......在新技术迭代大潮的裹挟下,上新技术的产能是
必须的。2017年,已经成熟或即将成熟的几项提升效率的技术分别为Perc技术、半片技术、MBB多主栅技术。理论上来讲,这几项技术都是兼容性技术,既可以使用在单晶硅片上,也可以应用在多晶硅片上