半导体科学

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中科院宁波材料所利用石墨炔掺杂改善钙钛矿太阳能电池性能来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-20 23:59:59

。器件界面层包括电子传输层和空穴传输层,器件界面性质对钙钛矿电池性能影响很大,显著影响载流子抽提和器件效率。同时,界面层的形貌和载流子输运能力对钙钛矿电池的器件效率的提高尤为关键。近期,中国科学院宁波
碳分子,具有丰富的碳化学键、大的共轭体系、宽面间距、优良的化学稳定性和半导体性能。石墨炔的引入不仅改善了界面材料的薄膜形态,更好地调控界面特性,提升了器件的短路电流值,从而增加了器件的光电转换

多晶铸锭的前世今生来源:PV-Tech 发布时间:2015-07-17 15:50:18

? 早在1839年,法国科学家贝克雷尔就在液体中发现了光生伏特效应。直到20世纪,人们才发现硅具有光电响应的性质。1950年,科学家蒂尔和里特尔将切克劳斯基在1917年发明的拉晶技术应用
于硅单晶的生长,这种拉晶技术已经成为现代生产高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。 然而

太阳能多晶铸锭的前世今生来源:PV-TECH 发布时间:2015-07-16 23:59:59

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
%,是仅次于氧的第二大元素,足够为人类光伏事业提供源源不断的原料支撑,未来硅材料未来将成为人类摆脱能源和环境危机的重要依托。那么问题来了,硅材料是什么时候开始用于发电的呢?早在1839年,法国科学

关于多晶铸锭,你知道多少?来源:PVTECH 发布时间:2015-07-16 23:59:59

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
26%,是仅次于氧的第二大元素,足够为人类光伏事业提供源源不断的原料支撑,未来硅材料未来将成为人类摆脱能源和环境危机的重要依托。那么问题来了,硅材料是什么时候开始用于发电的呢?早在1839年,法国科学

瞿晓铧:不做行业老大来源: 发布时间:2015-07-16 00:18:59

清华大学物理系、获学士学位,此后赴加拿大留学并先后获得硕士、博士学位。之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究。获博士后学位后,瞿晓铧进入光伏行业,加入加拿大安达略省电
之后,我觉得蛮有触动。那篇文章让我想起了他兼爱非攻的思想,以及他对中国早期科学以及逻辑学各方面的贡献,按照那篇文章的说法,百家中如果墨家不是在后来销声匿迹的话,今天中国的思维体系和科学体系可能会完全

瞿晓铧——阿特斯不做“行业老大”来源:中国企业家 发布时间:2015-07-15 23:59:59

名为ATS的加拿大公司工作过。瞿晓铧祖籍苏州,1964年生于北京,1986年毕业于清华大学物理系、获学士学位,此后赴加拿大留学并先后获得硕士、博士学位。之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体
的文章,看完之后,我觉得蛮有触动。那篇文章让我想起了他兼爱非攻的思想,以及他对中国早期科学以及逻辑学各方面的贡献,按照那篇文章的说法,百家中如果墨家不是在后来销声匿迹的话,今天中国的思维体系和科学体系

瞿晓铧:不做“老大”来源:中国企业家网 发布时间:2015-07-15 15:30:19

留学并先后获得硕士、博士学位。之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究。 获博士后学位后,瞿晓铧进入光伏行业,加入加拿大安达略省电力公司。刚加入公司,他便参与筹建
兼爱非攻的思想,以及他对中国早期科学以及逻辑学各方面的贡献,按照那篇文章的说法,百家中如果墨家不是在后来销声匿迹的话,今天中国的思维体系和科学体系可能会完全不一样,说不定科学的启蒙也会更早。 你最

瞿晓铧 不做“老大”来源:中国企业家杂志 发布时间:2015-07-15 14:21:13

过。 瞿晓铧祖籍苏州,1964年生于北京,1986年毕业于清华大学物理系、获学士学位,此后赴加拿大留学并先后获得硕士、博士学位。之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究
,以及他对中国早期科学以及逻辑学各方面的贡献,按照那篇文章的说法,百家中如果墨家不是在后来销声匿迹的话,今天中国的思维体系和科学体系可能会完全不一样,说不定科学的启蒙也会更早。 你

中科院层数可控石墨烯薄膜研究进展来源: 发布时间:2015-07-15 08:15:59

比、衬底厚度以及生长温度无关。此外,离子注入技术与现代半导体技术相兼容,有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。该研究得到了国家自然科学基金委创新研究群体、优秀青年基金、中国科学院高迁移率材料创新研究团队等相关研究计划的支持。

中科院上海微系统所在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得进展来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-14 23:59:59

,与气体的体积比、衬底厚度以及生长温度无关。此外,离子注入技术与现代半导体技术相兼容,有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。该研究得到了国家自然科学基金委创新研究群体、优秀青年基金