中国开放。瓶颈主要在于设备,如何保证薄膜的均匀性(要求多元化合物半导体材料结构及物理特性的均匀性)、产品的良品率、在线监测、工艺稳定的控制,降低设备的故障率及停机率等。特别是制造CIGS薄膜设备是最核心
国产化300兆瓦产量,电池组件平均转换效率为13%,良品率为90%,其电池成本可以低于0.5美元/峰瓦,可达到吉瓦级产量的晶硅电池成本。记者:您如何看待CIGS薄膜电池和晶硅电池的应用关系?孙云
6月20日,天津中环半导体股份有限公司子公司中环能源发布公告称,该公司采用世界先进的C7光伏发电系统与设施农业有机结合,在呼和浩特市赛罕区建设实施的设施农业基地20MW光伏电站示范项目近日取得进展
国产化。
公告显示,该项目已办理完成环评、节能评估、接入系统评审等相关手续,入网相关手续正在办理过程中,预计8月份实现并网发电。
中环股份表示,2MW的C7光伏发电系统的安装完成,是高效低倍
索比光伏网讯:6月20日,天津中环半导体股份有限公司子公司中环能源发布公告称,该公司采用世界先进的C7光伏发电系统与设施农业有机结合,在呼和浩特市赛罕区建设实施的设施农业基地20MW光伏电站示范项目
实现了国产化。公告显示,该项目已办理完成环评、节能评估、接入系统评审等相关手续,入网相关手续正在办理过程中,预计8月份实现并网发电。中环股份表示,2MW的C7光伏发电系统的安装完成,是高效低倍聚光C7
归功于它跨越大功率半导体国产化三部曲时的巧劲与智慧。并购曲:资本运作与技术创新完美之作2008年10月31日,中国功率半导体产业具重大意义的历史性日子,株洲所下属子公司南车时代电气成功收购加拿大丹尼克斯
海浦东新区注册成立, 是一家集研究、开发、设计、生产和销售于一身的太阳能电池生产设备企业。自公司成立以来,一批来自于国内外知名半导体设备制造企业的高层决策者和设备工艺专家、工程师在前公司总裁、留美博士钱学煜先生和
之识。在光伏行业还未步入寒冬之际,大多企业在高端设备上完全依赖进口,而理想能源另辟蹊径,毅然坚持走设备的国产化之路。当时晶硅电池依赖于晶硅原料生产,而晶硅原料供应常常出现短缺,且污染严重,而薄膜电池
力发电系统质量检测中心认证,其转化效率达到14.4%,距2012年报道的12.78%转化效率又上了一个台阶,这标志着电工所在CdTe薄膜太阳能电池研究方面取得重要进展。CdTe为直接带隙半导体,室温带隙宽度为
生产工艺技术一直为美国少数企业所垄断。此外,使用低温制备方法磁控溅射技术制备的CdTe多晶薄膜电池最高效率由美国Toledo大学保持,转化效率为14.5%。此次,电工所在没有使用高阻层的情况下,采用全国产化
力发电系统质量检测中心认证,其转化效率达到14.4%,距2012年报道的12.78%转化效率又上了一个台阶,这标志着电工所在CdTe薄膜太阳能电池研究方面取得重要进展。
CdTe为直接带隙半导体,室温
所在没有使用高阻层的情况下,采用全国产化设备和原料,制备出转化效率达到14.4%的CdTe电池,充分证明了只要研究好器件制备的工艺技术,就能做到国外相同的水平。这一研究成果为我国CdTe薄膜太阳能电池的
力发电系统质量检测中心认证,其转化效率达到14.4%,距2012年报道的12.78%转化效率又上了一个台阶,这标志着电工所在CdTe薄膜太阳能电池研究方面取得重要进展。CdTe为直接带隙半导体,室温带隙
生产工艺技术一直为美国少数企业所垄断。此外,使用低温制备方法磁控溅射技术制备的CdTe多晶薄膜电池最高效率由美国Toledo大学保持,转化效率为14.5%。此次,电工所在没有使用高阻层的情况下,采用全国产化
投资基金方式并重支持集成电路产业发展的路径已获高层认可。业内专家预计,国家已将推动芯片国产化上升至国家安全的高度,今年信息安全政策的重点将落实在硬件领域,特别是对集成电路产业的扶持力度堪称近十年之最
。与此同时,随着集成电路发展纲要及地方扶持政策的相继落地,集成电路产业将获得前所未有的发展机遇。中国半导体行业协会的数据显示,2012年全年我国集成电路进口额超过1900亿美元,2013年前三季度中国
产业发展的纲要文件已经获批,有望于本月底前下发。据悉,以财政扶持与股权投资基金方式并重支持集成电路产业发展的路径已获高层认可。
业内专家预计,国家已将推动芯片国产化上升至国家安全的高度,今年信息
安全政策的重点将落实在硬件领域,特别是对集成电路产业的扶持力度堪称近十年之最。与此同时,随着集成电路发展纲要及地方扶持政策的相继落地,集成电路产业将获得前所未有的发展机遇。
中国半导体行业协会的