半导体器件

随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件；而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT
禁带半导体器件及电源管理芯片方向，只有两三家高校和研究机构还在进行IGBT器件相关的研发，并且主要限于计算机仿真研究，这就导致了我国在IGBT设计和研发方面的人才奇缺。 破茧成长 因为国内

/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固
，市占率超70%，盈利能力稳定，公司已成为国内唯一一家（全球第二家）实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高

为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础，世界各国都十分重视，其转换途径很多，有光电直接转换，有光热电间接转换等。这里重点介绍光电直接转换器件--太阳电池。世界上，1941年出现有关硅太阳电池报道
%左右。 5、太阳能光电化学电池分解水制氢。1972年，日本本多健一等人利用n型二氧化钛半导体电极作阳极，而以铂黑作阴极，制成太阳能光电化学电池，在太阳光照射下，阴极产生氢气，阳极产生氧气，两电极

反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。商务部(以下称调查机关)对原产于美国的
用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。三、临时反补贴措施根据《反补贴条例》第二十九条和三十条的规定，调查机关向国务院关税税则委员会提出对原产于美国的被调查产品采取

《中华人民共和国进出口税则》：28046190，该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。应国内多晶硅产业申请，商务部于2012年7月20日发布该年度第41号
进行。超薄玻璃为南玻中期主要增长点的可能性较大。出售显示器件不超20%股权可为其拥有新的资本运作平台创造条件，对公司长期成长影响不大。由于公司原来深圳浮法两线在早期建设时未有环境评审要求，但目前相关政策趋严

产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190，该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。应国内多晶硅产业申请，商务部于2012年7月20日发布
产品国产化，国内企业抢占国外厂商的份额将逐步进行。超薄玻璃为南玻中期主要增长点的可能性较大。出售显示器件不超20%股权可为其拥有新的资本运作平台创造条件，对公司长期成长影响不大。由于公司原来深圳浮法两线

《中华人民共和国进出口税则》：28046190，该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。分析人士表示，来自美国的多晶硅进口量将进一步下降，但美国在我国

研发出机车心脏 作为新一代功率半导体器件，IGBT器件具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业

参与下设计成功。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）因其与生俱来的节能性在中国倡导节能减排和大力发展新能源的时代备受推崇。作为新一代功率半导体器件，IGBT具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态
进口的步伐。由中国北车所属西安永电公司运用该3300V/50A IGBT芯片封装的1200A/3300V IGBT模块，这是第一个在国内设计生产、拥有完全自主知识产权的高压大功率电力电子器件。中国北车在

是集成电路制造设备产品销售规模下降。集成电路制造设备产品实现销售收入20718.25万元，较上年同期下降44.49%。在公司继续缩减民品规模的情况下，电子元器件产品实现销售收入17220.97万元，同比
下降6.46%（其中，军工电子元器件产品实现销售收入12539.54万元，同比上升3.44%）。 2013年上半年，公司承担的国家重大专项"65nm超精细清洗设备研制与产业化"项目现已完成内部验收